ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 7

APTM10TAM19FPG

ចំណែកផ្នែក: 905

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 70A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

ចំណែកផ្នែក: 622

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5.4mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

ចំណែកផ្នែក: 814

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 175A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

ចំណែកផ្នែក: 825

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

ចំណែកផ្នែក: 874

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 89A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

ចំណែកផ្នែក: 1737

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 72A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5.4mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

ចំណែកផ្នែក: 517

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 6mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

ចំណែកផ្នែក: 121

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (Three Level Inverter), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 219A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 30mA (Typ),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

ចំណែកផ្នែក: 485

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 372A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 202

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 220A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 30mA (Typ),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

ចំណែកផ្នែក: 341

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 116A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.6V @ 6mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

ចំណែកផ្នែក: 772

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

ចំណែកផ្នែក: 1322

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

ចំណែកផ្នែក: 81

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 147A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 20mA (Typ),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

ចំណែកផ្នែក: 2039

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

ចំណែកផ្នែក: 808

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 90A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

ចំណែកផ្នែក: 635

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 34A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

ចំណែកផ្នែក: 726

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 90A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

ចំណែកផ្នែក: 866

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 208A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

ចំណែកផ្នែក: 400

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 495A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

ចំណែកផ្នែក: 1457

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 139A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

ចំណែកផ្នែក: 1133

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

ចំណែកផ្នែក: 485

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 45A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

ចំណែកផ្នែក: 1289

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

ចំណែកផ្នែក: 748

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 104A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

ចំណែកផ្នែក: 856

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 175A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 162

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 295A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 40mA (Typ),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

ចំណែកផ្នែក: 2258

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

ចំណែកផ្នែក: 1478

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

ចំណែកផ្នែក: 558

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 139A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

ចំណែកផ្នែក: 1267

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

ចំណែកផ្នែក: 1093

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

ចំណែកផ្នែក: 1492

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

ចំណែកផ្នែក: 809

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 46A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

ចំណែកផ្នែក: 757

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

ចំណែកផ្នែក: 379

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 78A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា