ការចងចាំ

MT48LC8M16LFTG-75:G TR

MT48LC8M16LFTG-75:G TR

ចំណែកផ្នែក: 2156

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V32M8TG-75 IT:G

MT46V32M8TG-75 IT:G

ចំណែកផ្នែក: 7282

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28F320J3BS-11 MET

MT28F320J3BS-11 MET

ចំណែកផ្នែក: 2502

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

ចំណែកផ្នែក: 8679

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 256Mb (64M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V32M16P-75 L:C

MT46V32M16P-75 L:C

ចំណែកផ្នែក: 6700

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC32M8A2P-6A:D

MT48LC32M8A2P-6A:D

ចំណែកផ្នែក: 299

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48V4M32LFB5-10 IT:G

MT48V4M32LFB5-10 IT:G

ចំណែកផ្នែក: 2953

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (4M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

ចំណែកផ្នែក: 4830

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

ចំណែកផ្នែក: 3545

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V32M16P-5B:C

MT46V32M16P-5B:C

ចំណែកផ្នែក: 6597

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

ចំណែកផ្នែក: 2361

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 143MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V32M8FG-6 L:G

MT46V32M8FG-6 L:G

ចំណែកផ្នែក: 3739

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 239

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Gb (64G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28F800B3WG-9 B TR

MT28F800B3WG-9 B TR

ចំណែកផ្នែក: 3975

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC2M32B2TG-5:G

MT48LC2M32B2TG-5:G

ចំណែកផ្នែក: 10064

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (2M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48H4M16LFB4-8 IT

MT48H4M16LFB4-8 IT

ចំណែកផ្នែក: 9090

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 125MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V64M16TG-6T:A TR

MT46V64M16TG-6T:A TR

ចំណែកផ្នែក: 7546

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC8M16A2TG-75:G

MT48LC8M16A2TG-75:G

ចំណែកផ្នែក: 1704

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT45W4MW16PBA-70 WT

MT45W4MW16PBA-70 WT

ចំណែកផ្នែក: 5020

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

ចំណែកផ្នែក: 4016

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC16M8A2FB-7E:G

MT48LC16M8A2FB-7E:G

ចំណែកផ្នែក: 9717

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

ចំណែកផ្នែក: 105

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 2Tb (256G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28F640J3BS-115 GMET

MT28F640J3BS-115 GMET

ចំណែកផ្នែក: 3310

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC8M32LFF5-8 IT

MT48LC8M32LFF5-8 IT

ចំណែកផ្នែក: 4339

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 125MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V128M4P-6T:D TR

MT46V128M4P-6T:D TR

ចំណែកផ្នែក: 5473

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (128M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC8M16A2P-7E IT:G

MT48LC8M16A2P-7E IT:G

ចំណែកផ្នែក: 1645

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 67

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (2M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT45W4MW16BFB-708 WT F

MT45W4MW16BFB-708 WT F

ចំណែកផ្នែក: 4996

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28F004B5VG-8 B

MT28F004B5VG-8 B

ចំណែកផ្នែក: 1723

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28F008B5VG-8 B

MT28F008B5VG-8 B

ចំណែកផ្នែក: 2068

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48V8M32LFB5-10

MT48V8M32LFB5-10

ចំណែកផ្នែក: 4403

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29W640FB70ZA6E

M29W640FB70ZA6E

ចំណែកផ្នែក: 8508

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28F400B3SG-8 TET TR

MT28F400B3SG-8 TET TR

ចំណែកផ្នែក: 2833

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT28F400B5WP-8 T

MT28F400B5WP-8 T

ចំណែកផ្នែក: 3319

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC8M16LFB4-8:G TR

MT48LC8M16LFB4-8:G TR

ចំណែកផ្នែក: 1926

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 125MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC8M16LFB4-10:G

MT48LC8M16LFB4-10:G

ចំណែកផ្នែក: 1868

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា