ការចងចាំ

MT47H64M16B7-5E:A TR

ចំណែកផ្នែក: 9360

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

ចំណែកផ្នែក: 5076

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H64M8B6-5E:D TR

ចំណែកផ្នែក: 594

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

ចំណែកផ្នែក: 238

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Tb (512G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

MT47H64M16B7-37E:A TR

ចំណែកផ្នែក: 9387

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

ចំណែកផ្នែក: 106

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 6Tb (768G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

ចំណែកផ្នែក: 832

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

MT47H128M8B7-37E L:A

ចំណែកផ្នែក: 9293

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H128M8B7-5E:A TR

ចំណែកផ្នែក: 9211

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H128M4B6-25E:D TR

ចំណែកផ្នែក: 648

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (128M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 670

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H128M4B6-25:D TR

ចំណែកផ្នែក: 691

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (128M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H64M8B6-37E:D TR

ចំណែកផ្នែក: 620

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H64M8B6-25E:D TR

ចំណែកផ្នែក: 614

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H256M4B7-37E:A TR

ចំណែកផ្នែក: 9156

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (256M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

ចំណែកផ្នែក: 543

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 873

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT43A4G40200NFA-S15:A

ចំណែកផ្នែក: 205

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

ចំណែកផ្នែក: 173

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 6Tb (768G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 5153

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H64M16BT-3:A TR

ចំណែកផ្នែក: 5088

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

ចំណែកផ្នែក: 126

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 6Tb (768G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

ចំណែកផ្នែក: 115

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Tb (512G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

MT47H128M8B7-5E L:A

ចំណែកផ្នែក: 9239

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F400B3WG-8 T

ចំណែកផ្នែក: 2960

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

ចំណែកផ្នែក: 403

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 1822

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 125MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT47H32M16CC-37E:B

ចំណែកផ្នែក: 8453

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F400B3SG-8 B TR

ចំណែកផ្នែក: 2776

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

MT48H8M32LFB5-10 IT TR

ចំណែកផ្នែក: 9249

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT28F400B5WG-8 T

ចំណែកផ្នែក: 3159

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

MT28F800B5SG-8 B TR

ចំណែកផ្នែក: 4110

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

ចំណែកផ្នែក: 1652

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 833

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

MT48V8M32LFF5-8 IT TR

ចំណែកផ្នែក: 3749

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPSDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 125MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT48LC32M8A2TG-6A:D

ចំណែកផ្នែក: 465

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 12ns,