ការចងចាំ

28032116

28032116

ចំណែកផ្នែក: 9819

បញ្ជីប្រាថ្នា
28153735

28153735

ចំណែកផ្នែក: 8181

បញ្ជីប្រាថ្នា
BK58F0095HVX010A

BK58F0095HVX010A

ចំណែកផ្នែក: 2305

បញ្ជីប្រាថ្នា
BK58F0088HVX001A

BK58F0088HVX001A

ចំណែកផ្នែក: 2274

បញ្ជីប្រាថ្នា
BK58F0094HVX000A

BK58F0094HVX000A

ចំណែកផ្នែក: 2264

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H16M16BG-3 IT:B TR

MT47H16M16BG-3 IT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 523

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29E6T08ETHBBM5-3:B

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

ចំណែកផ្នែក: 132

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 6Tb (768G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H32M16BN-5E IT:D TR

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 723

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 120

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 2Gb (2G x 1),

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V64M8BN-6 IT:F TR

MT46V64M8BN-6 IT:F TR

ចំណែកផ្នែក: 570

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H256M4B7-37E:A

MT47H256M4B7-37E:A

ចំណែកផ្នែក: 9134

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (256M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H32M16BN-37E IT:D TR

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 823

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

ចំណែកផ្នែក: 60

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Tb (512G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H64M8B6-25E IT:D TR

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 805

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H64M8B6-25:D TR

MT47H64M8B6-25:D TR

ចំណែកផ្នែក: 637

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H128M8B7-37E:A TR

MT47H128M8B7-37E:A TR

ចំណែកផ្នែក: 9361

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H128M8B7-5E L:A TR

MT47H128M8B7-5E L:A TR

ចំណែកផ្នែក: 9254

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT45W8MW16BGX-701 WT TR

MT45W8MW16BGX-701 WT TR

ចំណែកផ្នែក: 504

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: PSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: PSRAM (Pseudo SRAM), ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR

ចំណែកផ្នែក: 3978

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

ចំណែកផ្នែក: 680

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H256M4B7-5E:A

MT47H256M4B7-5E:A

ចំណែកផ្នែក: 9141

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (256M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 671

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H128M8B7-5E:A

MT47H128M8B7-5E:A

ចំណែកផ្នែក: 9254

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC8M16A2F4-75:G TR

MT48LC8M16A2F4-75:G TR

ចំណែកផ្នែក: 5083

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

ចំណែកផ្នែក: 9415

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H32M16BN-25:D TR

MT47H32M16BN-25:D TR

ចំណែកផ្នែក: 668

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

ចំណែកផ្នែក: 179

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Tb (512G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 734

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46H8M32LFB5-75:A TR

MT46H8M32LFB5-75:A TR

ចំណែកផ្នែក: 495

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR, ទំហំសតិ: 256Mb (8M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC4M16A2F4-75:G TR

MT48LC4M16A2F4-75:G TR

ចំណែកផ្នែក: 790

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 813

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 333MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

ចំណែកផ្នែក: 843

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H32M16BN-37E:D TR

MT47H32M16BN-37E:D TR

ចំណែកផ្នែក: 579

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT46V64M8BN-6 L:F TR

MT46V64M8BN-6 L:F TR

ចំណែកផ្នែក: 541

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MT47H128M8B7-37E:A

MT47H128M8B7-37E:A

ចំណែកផ្នែក: 9244

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 267MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
M29F010B70K6F TR

M29F010B70K6F TR

ចំណែកផ្នែក: 9590

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា