ការចងចាំ

MT53B512M64D4PV-053 WT:C

ចំណែកផ្នែក: 8396

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT47H512M4THN-25E:M

ចំណែកផ្នែក: 8190

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 2Gb (512M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT29F4G16ABBDAM60A3WC1

ចំណែកផ្នែក: 7306

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16),

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

ចំណែកផ្នែក: 3863

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

ចំណែកផ្នែក: 127

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT29F1G01ABBFDSF-IT:F

ចំណែកផ្នែក: 3386

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (1G x 1),

MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR

ចំណែកផ្នែក: 7048

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 48Gb (768M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT29F128G08AEEBBH6-12:B

ចំណែកផ្នែក: 7608

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Gb (16G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 83MHz,

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 5111

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 64Gb (1G x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT44K32M36RB-083E:A

ចំណែកផ្នែក: 5033

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 1.125Gb (32Mb x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1200MHz,

MT25QU512ABB8E12-1SIT

ចំណែកផ្នែក: 8642

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

EDFA364A3PD-JDTJ-F-R

ចំណែកផ្នែក: 7748

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 16Gb (256M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR

ចំណែកផ្នែក: 6863

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT38M4041A3034EZZI.XK6

ចំណែកផ្នែក: 9247

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, RAM, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, PSRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), 128M (8M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

MT44K64M18RB-093F:A

ចំណែកផ្នែក: 9526

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 1.125Gb (64Mb x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1067MHz,

MT53D384M32D2DS-053 XT:E

ចំណែកផ្នែក: 4354

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 5307

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (1G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 7032

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT40A1G8Z01AWC1

ចំណែកផ្នែក: 119

MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR

ចំណែកផ្នែក: 1728

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MTFC64GAQAMEA-WT TR

ចំណែកផ្នែក: 1771

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Gb (64G x 8),

MT40A1G8PM-083E:A

ចំណែកផ្នែក: 3934

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR4, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1.2GHz,

MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 5651

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (4G x 1),

MT53D384M32D2DS-046 AIT:C

ចំណែកផ្នែក: 4599

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 6600

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (1G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT29F4G16ABADAWP:D

ចំណែកផ្នែក: 1743

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16),

MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y TR

ចំណែកផ្នែក: 5869

MT53D384M32D2DS-053 XT:C

ចំណែកផ្នែក: 4435

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

ចំណែកផ្នែក: 9230

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 64Gb (8G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 83MHz,

MT40A1G16WBU-075E:B TR

ចំណែកផ្នែក: 5889

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (1G x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1.33GHz,

MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 6503

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 48Gb (768M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT61K256M32JE-12:A TR

ចំណែកផ្នែក: 108

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: SGRAM - GDDR6, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1.5GHz,

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

ចំណែកផ្នែក: 8845

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 512Gb (64G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

MT53D768M64D8RG-053 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 5200

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 48Gb (768M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D

ចំណែកផ្នែក: 8812

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Gb (16G x 8),

MT53D384M32D2DS-053 WT:C

ចំណែកផ្នែក: 4375

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,