ការចងចាំ

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

ចំណែកផ្នែក: 3703

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT53B384M64D4NH-062 WT:B

ចំណែកផ្នែក: 9797

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 24Gb (384M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT44K16M36RB-107E IT:B

ចំណែកផ្នែក: 8294

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 576Mb (16M x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MTFC32GAKAENA-4M IT

ចំណែកផ្នែក: 1039

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MT41K1G4RG-107:N

ចំណែកផ្នែក: 3733

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 4Gb (1G x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

ចំណែកផ្នែក: 4449

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MTFC16GAKAECN-4M IT TR

ចំណែកផ្នែក: 9907

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Gb (16G x 8),

MT53B256M32D1DS-062 XT:C

ចំណែកផ្នែក: 4000

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V

ចំណែកផ្នែក: 9189

MT29F2G16ABBEAM69A3WC1

ចំណែកផ្នែក: 7246

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16),

MT41DC11TW-V88A TR

ចំណែកផ្នែក: 5994

MT46H64M32LFKQ-5 IT:C

ចំណែកផ្នែក: 8043

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR, ទំហំសតិ: 2Gb (64M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT53B4DCNK-DC

ចំណែកផ្នែក: 9768

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D

ចំណែកផ្នែក: 5190

MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR

ចំណែកផ្នែក: 73

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B

ចំណែកផ្នែក: 8311

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1067MHz,

MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95E

ចំណែកផ្នែក: 3972

MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR

ចំណែកផ្នែក: 5556

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 2Gb (2G x 1),

MTFC128GAJAEDN-AIT

ចំណែកផ្នែក: 9815

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Tb (128G x 8),

MT53D512M32D2DS-046 AUT:D

ចំណែកផ្នែក: 5091

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR

ចំណែកផ្នែក: 1638

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (4G x 1),

MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR

ចំណែកផ្នែក: 6990

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT29F128G08AMEDBJ5-12:D

ចំណែកផ្នែក: 4968

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Gb (16G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 83MHz,

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F

ចំណែកផ្នែក: 3652

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (256M x 16),

MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C

ចំណែកផ្នែក: 3689

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 16Gb (2G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F

ចំណែកផ្នែក: 5053

MT41K512M8RG-107:N

ចំណែកផ្នែក: 9520

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT28FW01GABA1LJS-0AAT

ចំណែកផ្នែក: 8749

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (64M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B

ចំណែកផ្នែក: 8949

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F

ចំណែកផ្នែក: 3619

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8),

MT41K512M16HA-107 IT:A

ចំណែកផ្នែក: 8188

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 8Gb (512M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 4639

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (1G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT48LC16M16A2Y66AWC1

ចំណែកផ្នែក: 1845

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM, ទំហំសតិ: 256Mb (16M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 14ns,

MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 7099

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 48Gb (768M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53B2DADS-DC

ចំណែកផ្នែក: 4077

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y

ចំណែកផ្នែក: 4758