ការចងចាំ

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 1458

MT41K1G8RKB-107:N

ចំណែកផ្នែក: 88

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT41J128M16JT-093 J:K

ចំណែកផ្នែក: 4558

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1066MHz,

MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

ចំណែកផ្នែក: 922

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 128Gb (16G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 83MHz,

MT53D6DABE-DC

ចំណែកផ្នែក: 6785

MTFC256GAOAMAM-WT ES

ចំណែកផ្នែក: 7553

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 2Tb (256G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 2262

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT49H16M18SJ-25:B TR

ចំណែកផ្នែក: 3231

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: DRAM, ទំហំសតិ: 288Mb (16M x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz,

MT53B4DBDT-DC

ចំណែកផ្នែក: 3605

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1

ចំណែកផ្នែក: 7977

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR

ចំណែកផ្នែក: 3384

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53D4DANW-DC

ចំណែកផ្នែក: 6394

MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B

ចំណែកផ្នែក: 3616

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR3, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT47H64M16U88BWC1

ចំណែកផ្នែក: 8159

MT25QL02GCBB8E12-0SIT

ចំណែកផ្នែក: 58

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR

ចំណែកផ្នែក: 3886

MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR

ចំណែកផ្នែក: 3089

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, RAM, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT

ចំណែកផ្នែក: 1159

MTFC32GAPALBH-AIT ES

ចំណែកផ្នែក: 7570

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MT29F8G08ADAFAWP-AITES:F

ចំណែកផ្នែក: 5460

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8

ចំណែកផ្នែក: 5534

MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR

ចំណែកផ្នែក: 3388

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 16Gb (512M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53D1G32D4BD-053 WT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 1991

MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR

ចំណែកផ្នែក: 2677

MTFC16GAPALNA-AAT TR

ចំណែកផ្នែក: 196

MT35XL256ABA1G12-0AAT TR

ចំណែកផ្នែក: 3348

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E TR

ចំណែកផ្នែក: 9115

MT53D8DBNZ-DC

ចំណែកផ្នែក: 3720

MT53D4DANW-DC TR

ចំណែកផ្នែក: 9265

MT29F256G08EBHAFB16A3WSA

ចំណែកផ្នែក: 8012

MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR

ចំណែកផ្នែក: 3261

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 64Gb (2G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT53D4D1ARQ-DC TR

ចំណែកផ្នែក: 9292

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

ចំណែកផ្នែក: 1576

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 12Gb (384M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR

ចំណែកផ្នែក: 9928

MT29F32G08ABCABH1-10Z:A TR

ចំណែកផ្នែក: 2748

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 32Gb (4G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100MHz,

MT53B2DANW-DC

ចំណែកផ្នែក: 1580

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,