ការចងចាំ

MTFC32GAMALAM-WT ES TR

ចំណែកផ្នែក: 3342

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MT53D8DANZ-DC

ចំណែកផ្នែក: 3751

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

ចំណែកផ្នែក: 3153

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT25QL128ABA1ESE-MSIT

ចំណែកផ្នែក: 1277

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E

ចំណែកផ្នែក: 6613

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT61M256M32JE-12 N:A

ចំណែកផ្នែក: 7329

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: RAM, បច្ចេកវិទ្យា: SGRAM - GDDR6, ទំហំសតិ: 8Gb (256M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1.5GHz,

MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B

ចំណែកផ្នែក: 1659

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 24Gb (384M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT53D8D1BSQ-DC

ចំណែកផ្នែក: 6973

MT41K1G8RKB-107:N TR

ចំណែកផ្នែក: 1897

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR3L, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 933MHz,

MT53D4DBBP-DC TR

ចំណែកផ្នែក: 3408

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR

ចំណែកផ្នែក: 9853

MT53D4DCSB-DC

ចំណែកផ្នែក: 6432

MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 3412

MT35XL512ABA2G12-0AAT

ចំណែកផ្នែក: 1325

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

ចំណែកផ្នែក: 9540

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 2133MHz,

MT40A512M16LY-062E IT:E TR

ចំណែកផ្នែក: 8928

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR4, ទំហំសតិ: 8Gb (512M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1.6GHz,

MT53B4DANW-DC

ចំណែកផ្នែក: 1704

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B

ចំណែកផ្នែក: 1691

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 24Gb (384M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT29F256G08CMCABH2-12Z:A

ចំណែកផ្នែក: 5244

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 83MHz,

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

ចំណែកផ្នែក: 8982

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 6Gb (1.5G x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT47H128M4SH-25E:H TR

ចំណែកផ្នែក: 758

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 512Mb (128M x 4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D

ចំណែកផ្នែក: 6942

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 48Gb (768M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MTFC64GAPALNA-AAT ES TR

ចំណែកផ្នែក: 528

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8

ចំណែកផ្នែក: 5522

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

ចំណែកផ្នែក: 3327

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A

ចំណែកផ្នែក: 1435

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 6Gb (192M x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1600MHz,

MT25TL256HBA8ESF-0AAT

ចំណែកផ្នែក: 1321

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 8ms, 2.8ms,

MT53B1G64D8NW-062 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 1449

MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR

ចំណែកផ្នែក: 3487

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - Mobile LPDDR4, ទំហំសតិ: 32Gb (512M x 64), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

ចំណែកផ្នែក: 3091

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: DRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SDRAM - DDR2, ទំហំសតិ: 2Gb (128M x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 400MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ns,

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR

ចំណែកផ្នែក: 3097

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, RAM, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1866MHz,

MT53D4DCSB-DC TR

ចំណែកផ្នែក: 9343

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D

ចំណែកផ្នែក: 4268

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 167MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT:D

ចំណែកផ្នែក: 1651

MTFC32GAKAEJP-5M AIT

ចំណែកផ្នែក: 2449

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 256Gb (32G x 8),

MT35XU256ABA2G12-0AAT TR

ចំណែកផ្នែក: 3626

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,