ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

Infineon Technologies

IRF7506TR

ចំណែកផ្នែក: 2648

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7328PBF

ចំណែកផ្នែក: 58156

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7756GTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2800

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7104PBF

ចំណែកផ្នែក: 100274

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7328TR

ចំណែកផ្នែក: 2700

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7304PBF

ចំណែកផ្នែក: 67896

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7530TR

ចំណែកផ្នែក: 2684

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7755

ចំណែកផ្នែក: 2693

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7350TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 3331

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.1A, 1.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7306QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2778

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7324PBF

ចំណែកផ្នែក: 40730

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7313QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2771

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7103Q

ចំណែកផ្នែក: 2957

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7751GTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2740

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF5810TR

ចំណែកផ្នែក: 2641

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF8852TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2855

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.35V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF5850

ចំណែកផ្នែក: 2724

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L26AATMA1

ចំណែកផ្នែក: 186995

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L35ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 169062

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 16µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461AATMA1

ចំណែកផ្នែក: 195163

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 9µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L08ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 128418

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 22µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7351TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 111531

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 50µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L35AATMA1

ចំណែកផ្នែក: 128569

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 27µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9953TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 182561

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S412AATMA1

ចំណែកផ្នែក: 165975

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 15µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N10S4L22ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L22ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 113849

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7329TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 126207

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9389TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 156541

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.8A, 4.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7306TR

ចំណែកផ្នែក: 84818

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9395MTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 53923

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 50µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9910TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 144138

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, 12A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.55V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L07AATMA1

ចំណែកផ្នែក: 101318

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 30µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7905TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 187870

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.8A, 8.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.25V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG20N06S2L50AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L50AATMA1

ចំណែកផ្នែក: 140292

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 19µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9358TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 160762

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 100256

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 9µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

384

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»