ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

Infineon Technologies

IRF7325

ចំណែកផ្នែក: 2634

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7379PBF

ចំណែកផ្នែក: 2664

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.8A, 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7754

ចំណែកផ្នែក: 2962

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF8513PBF

ចំណែកផ្នែក: 2834

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, 11A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.35V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7338TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2782

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.3A, 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7750TR

ចំណែកផ្នែក: 2689

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF8313PBF

ចំណែកផ្នែក: 2835

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.35V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7379QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2818

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.8A, 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7101PBF

ចំណែកផ្នែក: 2712

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7342QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2806

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF5852TR

ចំណែកផ្នែក: 2705

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.25V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7316TR

ចំណែកផ្នែក: 2982

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9358PBF

ចំណែកផ្នែក: 57753

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7757TR

ចំណែកផ្នែក: 2666

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7351PBF

ចំណែកផ្នែក: 40500

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 50µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

IRFHE4250DTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2966

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 86A, 303A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.75 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 35µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IPG20N06S3L-35

ចំណែកផ្នែក: 2854

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 15µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7389

ចំណែកផ្នែក: 2690

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9910TR

ចំណែកផ្នែក: 3299

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, 12A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.55V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7343PBF

ចំណែកផ្នែក: 75494

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, 3.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9952QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2747

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7309QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2755

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRFI4024H-117P

ចំណែកផ្នែក: 2824

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9953

ចំណែកផ្នែក: 2696

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7106

ចំណែកផ្នែក: 2699

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7329TR

ចំណែកផ្នែក: 2673

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7901D1

ចំណែកផ្នែក: 2681

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7313TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 101851

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7301PBF

ចំណែកផ្នែក: 88872

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7507PBF

ចំណែកផ្នែក: 2758

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.4A, 1.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

IRLHS6376TR2PBF

Infineon Technologies

IRLHS6376TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 2814

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRLHS6276TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 125842

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF6156

ចំណែកផ្នែក: 3344

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7507TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 173654

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.4A, 1.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

IRF6702M2DTR1PBF

Infineon Technologies

IRF6702M2DTR1PBF

ចំណែកផ្នែក: 2812

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.35V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7751TR

ចំណែកផ្នែក: 2708

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

384

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»