ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 11

IRF7328TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 121945

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7380QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2971

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7341QTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2975

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF5810TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 3074

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7904PBF

ចំណែកផ្នែក: 75561

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.6A, 11A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.25V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7343TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 191306

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, 3.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRL6372TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 136919

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

DF11MR12W1M1B11BOMA1

ចំណែកផ្នែក: 229

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5.5V @ 20mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 110076

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRFI4019H-117P

ចំណែកផ្នែក: 26279

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.9V @ 50µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7303PBF

ចំណែកផ្នែក: 77937

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IPG20N06S4L14ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 2973

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 20µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 74468

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 64A, 145A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 35µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 159831

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF9956PBF

ចំណែកផ្នែក: 2963

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

DF23MR12W1M1B11BOMA1

ចំណែកផ្នែក: 3162

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 25A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 15V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5.5V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7306TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 134048

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7309PBF

ចំណែកផ្នែក: 123498

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF8910TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 184858

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.55V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF8915TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 198689

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7755TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2972

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7101TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 197154

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7389PBF

ចំណែកផ្នែក: 49826

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRLHS6276TR2PBF

ចំណែកផ្នែក: 2990

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF3546MTRPBF

ចំណែកផ្នែក: 18707

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), 20A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 35µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IPG20N06S2L65AATMA1

ចំណែកផ្នែក: 158126

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 14µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRFI4212H-117P

ចំណែកផ្នែក: 32918

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72.5 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7501TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 166411

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 700mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7329PBF

ចំណែកផ្នែក: 48234

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7555TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2960

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF7325TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 2988

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRL6372PBF

ចំណែកផ្នែក: 2978

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 10µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRFI4019HG-117P

ចំណែកផ្នែក: 3354

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.9V @ 50µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRFI4020H-117P

ចំណែកផ្នែក: 21018

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.9V @ 100µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

ចំណែកផ្នែក: 3093

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5.55V @ 40mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

ចំណែកផ្នែក: 3004

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.35V @ 25µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា