ការចងចាំ

S29CD016J0PFFM113

ចំណែកផ្នែក: 9468

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (512K x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 66MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

S34ML04G100TFB000

ចំណែកផ្នែក: 8068

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

CY62167G30-55BVXET

ចំណែកផ្នែក: 4817

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

S29GL512N10FFA010

ចំណែកផ្នែក: 3934

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 100ns,

CG7901AAT

ចំណែកផ្នែក: 7936

CY14V101NA-BA25XIT

ចំណែកផ្នែក: 4565

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

CY7C1360S-166AXC

ចំណែកផ្នែក: 5366

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 9Mb (256K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz,

CY62167G-45ZXI

ចំណែកផ្នែក: 4842

CY7C1365C-133BZI

ចំណែកផ្នែក: 4740

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 8Mb (256K x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

CG8223AAT

ចំណែកផ្នែក: 1389

CG8232AA

ចំណែកផ្នែក: 1482

CG8102AA

ចំណែកផ្នែក: 8040

CG8101AA

ចំណែកផ្នែក: 7945

CY7C1356C-166AXI

ចំណែកផ្នែក: 4889

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 9Mb (512K x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz,

CY7C1364C-166BZI

ចំណែកផ្នែក: 4751

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 8Mb (256K x 32), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 166MHz,

QMP29GL01GP11TAIR20

ចំណែកផ្នែក: 1650

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8),

S34ML08G101TFI203

ចំណែកផ្នែក: 7176

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

CY7C1360C-200AXC

ចំណែកផ្នែក: 5335

S25FL116K0XNFV013

ចំណែកផ្នែក: 3412

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

S34MS01G200TFI003

ចំណែកផ្នែក: 6814

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

S25FL032P0XNFV010

ចំណែកផ្នែក: 4295

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

CG8214AAT

ចំណែកផ្នែក: 7733

S29AL008J70WHN029

ចំណែកផ្នែក: 3183

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

S25FL116K0XBHIS20

ចំណែកផ្នែក: 4243

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

S40410081B1B1W000

ចំណែកផ្នែក: 5404

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,

S29AL016J70WEI029

ចំណែកផ្នែក: 7367

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

S25FL116K0XNFV011

ចំណែកផ្នែក: 5546

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

S34ML04G200TFA000

ចំណែកផ្នែក: 6090

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

S29AS008J70BFA042

ចំណែកផ្នែក: 3761

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

CY7C1357C-133AXC

ចំណែកផ្នែក: 5620

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 9Mb (512K x 18), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

S25FL129P0XBHV303

ចំណែកផ្នែក: 7385

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

S25FL164K0XMFIS10

ចំណែកផ្នែក: 4544

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

S34MS01G200TFA000

ចំណែកផ្នែក: 6974

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

S34ML01G100TFV000

ចំណែកផ្នែក: 4908

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

S34ML04G200TFB000

ចំណែកផ្នែក: 5172

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

S29PL064J70BAI122

ចំណែកផ្នែក: 7455

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,