ការចងចាំ

CG7841AA

CG7841AA

ចំណែកផ្នែក: 7862

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XBHIZ13

S25FL129P0XBHIZ13

ចំណែកផ្នែក: 3463

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL127J70BAI003

S29PL127J70BAI003

ចំណែកផ្នែក: 4048

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1059DV33-10ZSXI

CY7C1059DV33-10ZSXI

ចំណែកផ្នែក: 4907

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1354CV25-200AXC

CY7C1354CV25-200AXC

ចំណែកផ្នែក: 5219

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Synchronous, ទំហំសតិ: 9Mb (256K x 36), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL064J55BFI123

S29PL064J55BFI123

ចំណែកផ្នែក: 3926

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL132K0XWEI009

S25FL132K0XWEI009

ចំណែកផ្នែក: 3048

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL116K0XBHV033

S25FL116K0XBHV033

ចំណែកផ្នែក: 3313

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL032J55BFI122

S29PL032J55BFI122

ចំណែកផ្នែក: 3848

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL164K0XBHV030

S25FL164K0XBHV030

ចំណែកផ្នែក: 4575

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL116K0XNFIQ11

S25FL116K0XNFIQ11

ចំណែកផ្នែក: 5563

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM25V05-G

FM25V05-G

ចំណែកផ្នែក: 5310

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 40MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S40410081B1B2I003

S40410081B1B2I003

ចំណែកផ្នែក: 6849

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML08G101TFA003

S34ML08G101TFA003

ចំណែកផ្នែក: 4201

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY62256NLL-55SNXIT

CY62256NLL-55SNXIT

ចំណែកផ្នែក: 49017

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 55ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML08G101BHA000

S34ML08G101BHA000

ចំណែកផ្នែក: 2121

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XBHI310

S25FL129P0XBHI310

ចំណែកផ្នែក: 16803

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM1808B-SGTR

FM1808B-SGTR

ចំណែកផ្នែក: 5190

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 130ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XNFV013

S25FL129P0XNFV013

ចំណែកផ្នែក: 3574

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29AL008J70WHI029

S29AL008J70WHI029

ចំណែកផ្នែក: 3171

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CG8214AA

CG8214AA

ចំណែកផ្នែក: 7687

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL064J70BFW123

S29PL064J70BFW123

ចំណែកផ្នែក: 3922

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XBHV313

S25FL129P0XBHV313

ចំណែកផ្នែក: 3536

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL032J60BFI123

S29PL032J60BFI123

ចំណែកផ្នែក: 3850

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (2M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL512P12TFIV10

S29GL512P12TFIV10

ចំណែកផ្នែក: 4755

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 120ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY621472E30LL-45ZSXAT

CY621472E30LL-45ZSXAT

ចំណែកផ្នែក: 8181

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL116K0XBHIS30

S25FL116K0XBHIS30

ចំណែកផ្នែក: 4293

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML04G200TFV000

S34ML04G200TFV000

ចំណែកផ្នែក: 6952

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S70FL01GSAGBHMC10

S70FL01GSAGBHMC10

ចំណែកផ្នែក: 6207

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 133MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL164K0XWEV009

S25FL164K0XWEV009

ចំណែកផ្នែក: 3110

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XMFV013

S25FL129P0XMFV013

ចំណែកផ្នែក: 3569

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14B256LA-ZS25XI

CY14B256LA-ZS25XI

ចំណែកផ្នែក: 5033

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML08G101BHA003

S34ML08G101BHA003

ចំណែកផ្នែក: 7742

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 8Gb (1G x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S40410161B1B1I013

S40410161B1B1I013

ចំណែកផ្នែក: 7695

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 16Gb (2G x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 200MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL129P0XBHI313

S25FL129P0XBHI313

ចំណែកផ្នែក: 3447

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34ML16G202BHI000

S34ML16G202BHI000

ចំណែកផ្នែក: 2599

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 16Gb (2G x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា