ការចងចាំ

S29PL127J70BAW023

S29PL127J70BAW023

ចំណែកផ្នែក: 8422

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL064P0XMFV001M

S25FL064P0XMFV001M

ចំណែកផ្នែក: 3156

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
V29GL512P10TAI010

V29GL512P10TAI010

ចំណែកផ្នែក: 2668

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
IS29GL512S-11TFV013

IS29GL512S-11TFV013

ចំណែកផ្នែក: 6266

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (64M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14B101KA-SP45XIT

CY14B101KA-SP45XIT

ចំណែកផ្នែក: 4170

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL512P11TFIV10

S29GL512P11TFIV10

ចំណែកផ្នែក: 5632

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 110ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
QMP29GL512P11FFI020

QMP29GL512P11FFI020

ចំណែកផ្នែក: 1813

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM28V102A-TGTR

FM28V102A-TGTR

ចំណែកផ្នែក: 4575

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 1Mb (64K x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 90ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IS29GL256S-10DHB013

IS29GL256S-10DHB013

ចំណែកផ្នែក: 5923

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL164K0XBHVS33

S25FL164K0XBHVS33

ចំណែកផ្នែក: 3764

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C0241E-25AXC

CY7C0241E-25AXC

ចំណែកផ្នែក: 4565

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Dual Port, Asynchronous, ទំហំសតិ: 72Kb (4K x 18), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL132K0XNFN010

S25FL132K0XNFN010

ចំណែកផ្នែក: 466

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S99GL512P11TFI010

S99GL512P11TFI010

ចំណែកផ្នែក: 2501

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S99-50249 P

S99-50249 P

ចំណែកផ្នែក: 2378

បញ្ជីប្រាថ្នា
S70FL256P0XBHI210A

S70FL256P0XBHI210A

ចំណែកផ្នែក: 9547

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL127J65BAI000

S29PL127J65BAI000

ចំណែកផ្នែក: 7420

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 65ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IS29GL01GS-11DHV01

IS29GL01GS-11DHV01

ចំណែកផ្នែក: 7436

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S34SL04G200BHV000

S34SL04G200BHV000

ចំណែកផ្នែក: 7363

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NAND, ទំហំសតិ: 4Gb (512M x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S72XS256RE0AHBH10

S72XS256RE0AHBH10

ចំណែកផ្នែក: 3886

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, RAM, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH, DRAM, ទំហំសតិ: 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM, ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 108MHz,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IS29GL256S-10TFV010

IS29GL256S-10TFV010

ចំណែកផ្នែក: 5979

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 256Mb (32M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S99ML01G10044

S99ML01G10044

ចំណែកផ្នែក: 12740

បញ្ជីប្រាថ្នា
IS29GL128S-10DHB013

IS29GL128S-10DHB013

ចំណែកផ្នែក: 6950

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S70GL02GP12FFI012

S70GL02GP12FFI012

ចំណែកផ្នែក: 2281

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
IS29GL128S-10DHV020

IS29GL128S-10DHV020

ចំណែកផ្នែក: 5655

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (16M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 60ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL064J70BFI122

S29PL064J70BFI122

ចំណែកផ្នែក: 12719

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (4M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 70ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY62167GE30-45BV1XI

CY62167GE30-45BV1XI

ចំណែកផ្នែក: 5245

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY7C1041D-2XWI

CY7C1041D-2XWI

ចំណែកផ្នែក: 2735

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 4Mb (256K x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY62167G30-45BVXIT

CY62167G30-45BVXIT

ចំណែកផ្នែក: 4511

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: SRAM, បច្ចេកវិទ្យា: SRAM - Asynchronous, ទំហំសតិ: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 45ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CG8257AA

CG8257AA

ចំណែកផ្នែក: 2679

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM18W08-SG

FM18W08-SG

ចំណែកផ្នែក: 4070

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FRAM, បច្ចេកវិទ្យា: FRAM (Ferroelectric RAM), ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 130ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29PL127J80TFI140

S29PL127J80TFI140

ចំណែកផ្នែក: 6459

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 128Mb (8M x 16), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 80ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CY14B101LA-SP25XIT

CY14B101LA-SP25XIT

ចំណែកផ្នែក: 3826

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: NVSRAM, បច្ចេកវិទ្យា: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 25ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
QMP29GL512P10FFI020

QMP29GL512P10FFI020

ចំណែកផ្នែក: 1765

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 512Mb (32M x 16),

បញ្ជីប្រាថ្នា
S29GL01GP13TFIH20D

S29GL01GP13TFIH20D

ចំណែកផ្នែក: 5462

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 1Gb (128M x 8), សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 130ns,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL032P0XNFV011M

S25FL032P0XNFV011M

ចំណែកផ្នែក: 2964

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 32Mb (4M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
S25FL064P0XNFV000M

S25FL064P0XNFV000M

ចំណែកផ្នែក: 381

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: FLASH, បច្ចេកវិទ្យា: FLASH - NOR, ទំហំសតិ: 64Mb (8M x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 104MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5µs, 3ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា