Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

CMLDM3737 TR
Central Semiconductor Corp

CMLDM3737 TR

ចំណែកផ្នែក: 117843

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 540mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CMLDM7585 TR
Central Semiconductor Corp

CMLDM7585 TR

ចំណែកផ្នែក: 161601

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 650mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CMXDM7002A TR
Central Semiconductor Corp

CMXDM7002A TR

ចំណែកផ្នែក: 126593

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 280mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
DMC2450UV-13
Diodes Incorporated

DMC2450UV-13

ចំណែកផ្នែក: 171377

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.03A, 700mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
DMTH6010LPDQ-13
Diodes Incorporated

DMTH6010LPDQ-13

ចំណែកផ្នែក: 125205

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
DMP2066LSD-13
Diodes Incorporated

DMP2066LSD-13

ចំណែកផ្នែក: 103006

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
DMP2004DWK-7
Diodes Incorporated

DMP2004DWK-7

ចំណែកផ្នែក: 187523

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 430mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NVJD4401NT1G
ON Semiconductor

NVJD4401NT1G

ចំណែកផ្នែក: 192220

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 630mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NVMFD5877NLT1G
ON Semiconductor

NVMFD5877NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 171488

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NTZD5110NT5G
ON Semiconductor

NTZD5110NT5G

ចំណែកផ្នែក: 3000

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 294mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FDR8702H
ON Semiconductor

FDR8702H

ចំណែកផ្នែក: 3117

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, 2.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NTLLD4901NFTWG
ON Semiconductor

NTLLD4901NFTWG

ចំណែកផ្នែក: 132118

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, 6.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FDC6333C
ON Semiconductor

FDC6333C

ចំណែកផ្នែក: 131502

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.5A, 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FDMA3023PZ
ON Semiconductor

FDMA3023PZ

ចំណែកផ្នែក: 148246

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FDZ1323NZ
ON Semiconductor

FDZ1323NZ

ចំណែកផ្នែក: 166913

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
NTMFD4C20NT1G
ON Semiconductor

NTMFD4C20NT1G

ចំណែកផ្នែក: 166740

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.1A, 13.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FDPC5018SG
ON Semiconductor

FDPC5018SG

ចំណែកផ្នែក: 62456

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, 32A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SI9936DY,518
NXP USA Inc.

SI9936DY,518

ចំណែកផ្នែក: 3387

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CAS300M17BM2
Cree/Wolfspeed

CAS300M17BM2

ចំណែកផ្នែក: 115

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1700V (1.7kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 325A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 15mA (Typ),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
UT6JA2TCR
Rohm Semiconductor

UT6JA2TCR

ចំណែកផ្នែក: 157843

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SH8J65TB1
Rohm Semiconductor

SH8J65TB1

ចំណែកផ្នែក: 100136

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
UM6K33NTN
Rohm Semiconductor

UM6K33NTN

ចំណែកផ្នែក: 191317

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SMA5117
Sanken

SMA5117

ចំណែកផ្នែក: 6110

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SLA5068-LF830
Sanken

SLA5068-LF830

ចំណែកផ្នែក: 11177

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
TSM4946DCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4946DCS RLG

ចំណែកផ្នែក: 16502

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6P35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

ចំណែកផ្នែក: 173905

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

ចំណែកផ្នែក: 13232

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.7V @ 100µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
STS4DNF60L
STMicroelectronics

STS4DNF60L

ចំណែកផ្នែក: 93425

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
MCCD2007-TP
Micro Commercial Co

MCCD2007-TP

ចំណែកផ្នែក: 117884

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SI4618DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4618DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 113583

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, 15.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
SI7901EDN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7901EDN-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 3002

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 800µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
CSD75301W1015
Texas Instruments

CSD75301W1015

ចំណែកផ្នែក: 2951

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IRF7380TRPBF
Infineon Technologies

IRF7380TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 159831

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
IRF9956PBF
Infineon Technologies

IRF9956PBF

ចំណែកផ្នែក: 2963

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies

DF23MR12W1M1B11BOMA1

ចំណែកផ្នែក: 3162

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 25A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 15V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5.5V @ 10mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា
FMM22-06PF
IXYS

FMM22-06PF

ចំណែកផ្នែក: 4230

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា