ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

JANTXV2N7334

ចំណែកផ្នែក: 2993

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

NVMD3P03R2G

ចំណែកផ្នែក: 96099

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.34A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

FW344A-TL-2WX

ចំណែកផ្នែក: 2996

FPF1C2P5BF07A

ចំណែកផ្នែក: 1274

ប្រភេទហ្វីត: 5 N-Channel (Solar Inverter), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 650V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.8V @ 250µA,

FDMA3027PZ

ចំណែកផ្នែក: 150954

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMA2002NZ

ចំណែកផ្នែក: 151018

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

NVTJD4001NT1G

ចំណែកផ្នែក: 156020

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 100µA,

ECH8693R-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 120579

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 24V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 5A, 4.5V,

NTLUD3A50PZTAG

ចំណែកផ្នែក: 190251

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

TSM8568CS RLG

ចំណែកផ្នែក: 248

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Tc), 13A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

SSM6N67NU,LF

ចំណែកផ្នែក: 9963

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

DMN3024LSD-13

ចំណែកផ្នែក: 104686

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ZXMN3G32DN8TA

ចំណែកផ្នែក: 114903

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMC2004LPK-7

ចំណែកផ្នែក: 158060

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 750mA, 600mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMG4511SK4-13

ចំណែកផ្នែក: 151829

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 35V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMT3009LDT-7

ចំណែកផ្នែក: 191383

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMNH6021SPD-13

ចំណែកផ្នែក: 169861

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.2A, 32A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

CSD85312Q3E

ចំណែកផ្នែក: 187545

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Source, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 8V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 250µA,

CSD88584Q5DCT

ចំណែកផ្នែក: 10445

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 250µA,

SIZ346DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 9988

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A (Tc), 30A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

SIZ728DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 110130

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A, 35A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

SI4288DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 118896

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

SI5938DU-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2940

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

SI4650DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2953

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 1mA,

SI5997DU-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 168303

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

IRF7303PBF

ចំណែកផ្នែក: 77937

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

IPG20N06S4L14ATMA1

ចំណែកផ្នែក: 2973

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 20µA,

UPA1764G(0)-E2-AT

ចំណែកផ្នែក: 3039

XN0187200L

ចំណែកផ្នែក: 2940

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 100µA,

STL13DP10F6

ចំណែកផ្នែក: 109384

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

STS10DN3LH5

ចំណែកផ្នែក: 127146

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

UT6K3TCR

ចំណែកផ្នែក: 167007

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 1mA,

US6M11TR

ចំណែកផ្នែក: 108081

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.5A, 1.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

SMA5133

ចំណែកផ្នែក: 10646

ប្រភេទហ្វីត: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.5A,

GMM3X60-015X2-SMD

ចំណែកផ្នែក: 3720

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.5V @ 1mA,

KGF6N05D-400

ចំណែកផ្នែក: 2987

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Source, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 5.5V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 0.9V @ 250µA,