ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

FMM150-0075X2F

ចំណែកផ្នែក: 4607

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

VMM85-02F

ចំណែកផ្នែក: 1197

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 84A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 8mA,

GWM220-004P3-SL SAM

ចំណែកផ្នែក: 2944

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180A, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

VWM270-0075X2

ចំណែកផ្នែក: 697

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 270A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 500µA,

FDC6327C

ចំណែកផ្នែក: 146072

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.7A, 1.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDMC8298

ចំណែកផ្នែក: 2974

NTMFD5C650NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 6527

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 98µA,

NVMFD5C446NWFT1G

ចំណែកផ្នែក: 6461

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24A (Ta), 127A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

FDMJ1032C

ចំណែកផ្នែក: 2986

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.2A, 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDG6308P

ចំណែកផ្នែក: 158700

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 600mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDG6320C

ចំណែកផ្នែក: 131902

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 220mA, 140mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

EFC4622R-R-W-E-TR

ចំណែកផ្នែក: 2960

FDS4559

ចំណែកផ្នែក: 172345

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4

ចំណែកផ្នែក: 2980

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 775mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

PMGD175XNEAX

ចំណែកផ្នែក: 100101

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 900mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.25V @ 250µA,

ZXMC3F31DN8TA

ចំណែកផ្នែក: 184943

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.8A, 4.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMN3035LWN-7

ចំណែកផ្នែក: 179644

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

DMC3400SDW-7

ចំណែកផ្នែក: 148048

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 650mA, 450mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.6V @ 250µA,

DMN63D0LT-7

ចំណែកផ្នែក: 180893

DMN5L06VKQ-7

ចំណែកផ្នែក: 192415

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 280mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

DMP2065UFDB-7

ចំណែកផ្នែក: 144177

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ZXMHC3A01N8TC

ចំណែកផ្នែក: 158505

ប្រភេទហ្វីត: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.17A, 1.64A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI1902DL-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 162518

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 660mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

SI4532CDY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 107643

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SQ4949EY-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 10794

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

SIZ790DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 117428

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A, 35A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

SI1028X-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 148144

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

SI3586DV-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2975

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, 2.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

SI4943BDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 73640

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI4904DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 68509

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

TSM6866SDCA RVG

ចំណែកផ្នែក: 9954

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 600mV @ 250µA,

CSD87331Q3D

ចំណែកផ្នែក: 140901

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V, 1.2V @ 250µA,

MCQ4503-TP

ចំណែកផ្នែក: 124864

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.3A, 8.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SMA5132

ចំណែកផ្នែក: 10943

ប្រភេទហ្វីត: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.5A,

SSM6N35AFE,LF

ចំណែកផ្នែក: 13256

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 250mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 100µA,

UPA2372T1P-E4-A

ចំណែកផ្នែក: 2981