ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 100

DMN4026SSDQ-13

ចំណែកផ្នែក: 155222

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMS3017SSD-13

ចំណែកផ្នែក: 185603

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMN3033LSD-13

ចំណែកផ្នែក: 155650

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMC6040SSDQ-13

ចំណែកផ្នែក: 175181

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.1A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMP2035UTS-13

ចំណែកផ្នែក: 121298

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.04A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMP3048LSD-13

ចំណែកផ្នែក: 155

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMG4932LSD-13

ចំណែកផ្នែក: 198063

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMP6050SSD-13

ចំណែកផ្នែក: 126823

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMN6022SSD-13

ចំណែកផ្នែក: 175957

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Ta), 14A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMC4029SK4-13

ចំណែកផ្នែក: 187840

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMG6301UDW-13

ចំណែកផ្នែក: 187231

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 240mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

ZXMC4A16DN8TA

ចំណែកផ្នែក: 141777

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.2A (Ta), 4.7A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, 60 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250mA (Min),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

ZXMP6A18DN8TA

ចំណែកផ្នែក: 69255

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMHC4035LSDQ-13

ចំណែកផ្នែក: 148621

ប្រភេទហ្វីត: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMC3730UFL3-7

ចំណែកផ្នែក: 145530

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.1A, 700mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 950mV @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ-13

ចំណែកផ្នែក: 133992

ប្រភេទហ្វីត: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Diodes Incorporated

DMP6110SSD-13

ចំណែកផ្នែក: 102694

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

FQS4900TF

ចំណែកផ្នែក: 117878

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, 300V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.3A, 300mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 650mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.95V @ 20mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

NVMFD5C668NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 46

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15.5A (Ta), 68A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 50µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

FDMS3660AS

ចំណែកផ្នែក: 111729

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

ECH8690-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 156738

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

NTMD6N03R2G

ចំណែកផ្នែក: 188884

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

ECH8657-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 165958

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 35V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

NVMFD5C466NWFT1G

ចំណែកផ្នែក: 175

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

NTZD3158PT1G

ចំណែកផ្នែក: 177029

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 430mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

FDMS3600AS

ចំណែកផ្នែក: 89370

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

ECH8668-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 150790

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A, 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

NVMD4N03R2G

ចំណែកផ្នែក: 187212

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

ON Semiconductor

FDMA1023PZ-F106

ចំណែកផ្នែក: 63

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Panasonic Electronic Components

MTM763200LBF

ចំណែកផ្នែក: 150350

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.9A, 1.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Panasonic Electronic Components

FC8V33030L

ចំណែកផ្នែក: 192655

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 33V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 480µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC6320K6-G

ចំណែកផ្នែក: 71235

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

ចំណែកផ្នែក: 11166

ប្រភេទហ្វីត: 6 N and 6 P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Monolithic Power Systems Inc.

LN60A01EP-LF

ចំណែកផ្នែក: 56695

ប្រភេទហ្វីត: 3 N-Channel, Common Gate, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 80mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

ចំណែកផ្នែក: 123

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 45V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

TT8J2TR

ចំណែកផ្នែក: 170382

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា