ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

FDS3890

ចំណែកផ្នែក: 94529

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 80V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

NVMFD5853NT1G

ចំណែកផ្នែក: 93756

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

NTMFD5C680NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 134

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 13µA,

VEC2315-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 104072

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 1mA,

NVMFD5C466NT1G

ចំណែកផ្នែក: 202

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 250µA,

ECH8659-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 134439

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 1mA,

FDMD8540L

ចំណែកផ្នែក: 32944

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 33A, 156A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ECH8667-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 184233

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 2.5A, 10V,

NVMFD5C668NLWFT1G

ចំណែកផ្នែក: 150

NVMFD5C650NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 53

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 98µA,

MCH6664-TL-W

ចំណែកផ្នែក: 105892

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 800mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 1mA,

STZD3155CT1G

ចំណែកផ្នែក: 125221

EFC4619R-TR

ចំណែកផ្នែក: 178337

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDMD82100

ចំណែកផ្នែក: 51947

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

FDS4501H

ចំណែកផ្នែក: 130119

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.3A, 5.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

CWDM305PD TR13

ចំណែកផ្នែក: 166145

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

VT6M1T2CR

ចំណែកផ្នែក: 125142

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 100mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 100µA,

EM6J1T2R

ចំណែកផ្នែក: 109230

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 100µA,

TT8J13TCR

ចំណែកផ្នែក: 181566

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

US6J11TR

ចំណែកផ្នែក: 145887

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

TT8J11TCR

ចំណែកផ្នែក: 175857

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,

SP8M24FRATB

ចំណែកផ្នែក: 109

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 45V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, 63 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

DMN1006UCA6-7

ចំណែកផ្នែក: 141

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

DMN1002UCA6-7

ចំណែកផ្នែក: 56

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard,

DMNH4015SSD-13

ចំណែកផ្នែក: 191364

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMN2023UCB4-7

ចំណែកផ្នែក: 119

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 24V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Ta), Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

DMC3025LNS-7

ចំណែកផ្នែក: 178643

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

SI4505DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 118937

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 3.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.8V @ 250µA,

SI4808DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 80900

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 800mV @ 250µA (Min),

SI7962DP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 38892

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.5V @ 250µA,

SLA5059

ចំណែកផ្នែក: 27839

ប្រភេទហ្វីត: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 2A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

SMA5112

ចំណែកផ្នែក: 14169

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

SLA5065 LF830

ចំណែកផ្នែក: 11369

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

STS5DNF60L

ចំណែកផ្នែក: 107885

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

MTM763250LBF

ចំណែកផ្នែក: 103755

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.7A, 1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.3V @ 1mA,

MTM684100LBF

ចំណែកផ្នែក: 135215

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1mA,