ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

BSS138DWQ-7

ចំណែកផ្នែក: 137105

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

BSS138DWQ-13

ចំណែកផ្នែក: 113029

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

BSS138DW-7-F

ចំណែកផ្នែក: 105835

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

BSS84V-7

ចំណែកផ្នែក: 195633

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 130mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BSM120D12P2C005

ចំណែកផ្នែក: 258

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 120A (Tc), Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 22mA,

BSM180D12P2C101

ចំណែកផ្នែក: 243

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 204A (Tc), Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 35.2mA,

BUK7K18-40EX

ចំណែកផ្នែក: 171094

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

BUK9K89-100E,115

ចំណែកផ្នែក: 171088

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 1mA,

BSS138BKS,115

ចំណែកផ្នែក: 129700

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 320mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 320mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.6V @ 250µA,

BUK9K8R7-40EX

ចំណែកផ្នែក: 140529

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 1mA,

BUK9K45-100E,115

ចំណែកផ្នែក: 140499

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 1mA,

BUK9K29-100E,115

ចំណែកផ្នែក: 120044

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 1mA,

BUK9K134-100EX

ចំណែកផ្នែក: 189637

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 159 mOhm @ 5A, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 1mA,

BSS84AKS/ZLX

ចំណែកផ្នែក: 3372

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 160mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

BUK9MTT-65PBB,518

ចំណែកផ្នែក: 3325

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 65V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.8A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90.4 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BUK9MRR-65PKK,518

ចំណែកផ្នែក: 3041

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 65V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60.7 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BUK9MNN-65PKK,518

ចំណែកផ្នែក: 3039

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 65V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.1A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32.8 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BUK9MJJ-65PLL,518

ចំណែកផ្នែក: 3037

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 65V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11.6A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BUK9MGP-55PTS,518

ចំណែកផ្នែក: 2984

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V, 22.6 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BUK9MHH-65PNN,518

ចំណែកផ្នែក: 3036

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 65V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BUK9MFF-65PSS,518

ចំណែកផ្នែក: 2995

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 65V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13.6A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 1mA,

BUK9MJT-55PRF,518

ចំណែកផ្នែក: 2797

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 10A, 10V,

BSL308CH6327XTSA1

ចំណែកផ្នែក: 146163

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 11µA,

BSC0911NDATMA1

ចំណែកផ្នែក: 94888

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 18A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

BSO615NGHUMA1

ចំណែកផ្នែក: 20316

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 20µA,

BSO330N02KGFUMA1

ចំណែកផ្នែក: 3005

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 20µA,

BTS7904SAKSA1

ចំណែកផ្នែក: 2985

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 40µA,

BSO4804HUMA2

ចំណែកផ្នែក: 2904

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 30µA,

BSL806NL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 2870

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 750mV @ 11µA,

BSL207NL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 2845

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 11µA,

BSL308PEL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 3339

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 11µA,

BSL308CL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 2842

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 11µA,

BSL314PEL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 3308

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 6.3µA,

BSD840N L6327

ចំណែកផ្នែក: 2834

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 880mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 880mA, 2.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 750mV @ 1.6µA,

BSL306NL6327HTSA1

ចំណែកផ្នែក: 3344

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 11µA,

BUK7K6R2-40E/CX

ចំណែកផ្នែក: 3020