ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

APTML202UM18R010T3AG

ចំណែកផ្នែក: 2939

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 109A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

ចំណែកផ្នែក: 3301

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

ចំណែកផ្នែក: 3350

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 51A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

ចំណែកផ្នែក: 2866

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

ចំណែកផ្នែក: 2896

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 139A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

ចំណែកផ្នែក: 293

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

ចំណែកផ្នែក: 1142

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

ចំណែកផ្នែក: 2917

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

ចំណែកផ្នែក: 2886

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

ចំណែកផ្នែក: 2885

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

ចំណែកផ្នែក: 2935

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

ចំណែកផ្នែក: 2862

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 66A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

ចំណែកផ្នែក: 2932

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 36A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

ចំណែកផ្នែក: 1136

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

ចំណែកផ្នែក: 424

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

ចំណែកផ្នែក: 666

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 59A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

ចំណែកផ្នែក: 2898

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

ចំណែកផ្នែក: 5403

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

ចំណែកផ្នែក: 2849

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 900V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.5V @ 3mA,

ALD111910SAL

ចំណែកផ្នែក: 38839

ALD111910PAL

ចំណែកផ្នែក: 38839

AOC2800

ចំណែកផ្នែក: 2871

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate,

AON6974A

ចំណែកផ្នែក: 2934

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

AON6970

ចំណែកផ្នែក: 2849

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24A, 42A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 250µA,

AON6928

ចំណែកផ្នែក: 2893

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

AON2809

ចំណែកផ្នែក: 2941

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

AON6973A

ចំណែកផ្នែក: 2858

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

AON7826

ចំណែកផ្នែក: 2861

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

ចំណែកផ្នែក: 2874

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

AO5800E

ចំណែកផ្នែក: 2920

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

ចំណែកផ្នែក: 2939

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 600mA, 500mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

AO4618

ចំណែកផ្នែក: 192153

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

AON6974

ចំណែកផ្នែក: 2877

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

AON6936

ចំណែកផ្នែក: 2917

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, 40A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

AON6938

ចំណែកផ្នែក: 2882

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, 33A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

ចំណែកផ្នែក: 2875

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,