ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

ALD1105PBL

ចំណែកផ្នែក: 23483

ប្រភេទហ្វីត: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 10.6V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1µA,

ALD111910MAL

ចំណែកផ្នែក: 33453

ALD1116SAL

ចំណែកផ្នែក: 27725

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 10.6V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1µA,

AO8801AL

ចំណែកផ្នែក: 3040

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

AO4611

ចំណែកផ្នែក: 164048

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

AO4807

ចំណែកផ្នែក: 101238

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

AON7810

ចំណែកផ្នែក: 162685

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 250µA,

AON6816

ចំណែកផ្នែក: 188992

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

AO7801

ចំណែកផ្នែក: 167978

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

AO4842

ចំណែកផ្នែក: 129329

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 250µA,

AO6602_DELTA

ចំណែកផ្នែក: 2963

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A (Ta), 2.7A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, 100 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOC3870A

ចំណែកផ្នែក: 2965

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

AO4813L

ចំណែកផ្នែក: 3042

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.1A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

AO4818BL

ចំណែកផ្នែក: 2997

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

AON6884L

ចំណែកផ្នែក: 3348

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 34A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

AO8804L

ចំណែកផ្នែក: 2971

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

AON7804_102

ចំណែកផ្នែក: 3350

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

AO6604L_001

ចំណែកផ្នែក: 3006

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel Complementary, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.4A, 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

AO4801HL

ចំណែកផ្នែក: 2966

AO4807_101

ចំណែកផ្នែក: 2977

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

AO3415B

ចំណែកផ្នែក: 2994

AOC3870

ចំណែកផ្នែក: 2989

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 25A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.1V @ 250µA,

AOC3860A

ចំណែកផ្នែក: 3008

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 25A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

AON6978

ចំណែកផ្នែក: 167457

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A, 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

AOC4810

ចំណែកផ្នែក: 3009

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate,

AO5804E

ចំណែកផ្នែក: 3032

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 500mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

AUIRF7103Q

ចំណែកផ្នែក: 3052

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

AUIRF7309QTR

ចំណែកផ្នែក: 108112

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, 3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

AUIRF7343QTR

ចំណែកផ្នែក: 94872

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A, 3.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

AUIRF7303QTR

ចំណែកផ្នែក: 101171

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 100µA,

APTM120H57FTG

ចំណែកផ្នែក: 3119

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 17A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM35G

ចំណែកផ្នែក: 3087

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 99A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

APTMC120HRM40CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 3001

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 73A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 12.5mA,

APTC60DSKM45CT1G

ចំណែកផ្នែក: 2944

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

APTM20DHM16T3G

ចំណែកផ្នែក: 2948

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 104A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

APTM100VDA35T3G

ចំណែកផ្នែក: 3387

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,