ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

ផ្ទហ
ប្រភេទផលិតផល
ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

ចំណែកផ្នែក: 400

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 495A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 10mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTM10DSKM09T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

ចំណែកផ្នែក: 1457

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 139A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

ចំណែកផ្នែក: 1133

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTML602U12R020T3AG

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

ចំណែកផ្នែក: 485

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 45A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

ចំណែកផ្នែក: 1289

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

ចំណែកផ្នែក: 748

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 104A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

ចំណែកផ្នែក: 856

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 175A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 162

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 295A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 40mA (Typ),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTC60DDAM70T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

ចំណែកផ្នែក: 2258

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

ចំណែកផ្នែក: 1478

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

ចំណែកផ្នែក: 558

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 139A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTM100DSK35T3G

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

ចំណែកផ្នែក: 1267

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

ចំណែកផ្នែក: 1093

ប្រភេទហ្វីត: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

ចំណែកផ្នែក: 1492

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

ចំណែកផ្នែក: 809

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 46A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

ចំណែកផ្នែក: 757

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

ចំណែកផ្នែក: 379

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 78A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 10mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM20DUM05G

ចំណែកផ្នែក: 536

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 317A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 10mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

ចំណែកផ្នែក: 731

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

ចំណែកផ្នែក: 766

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 99A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

ចំណែកផ្នែក: 767

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 51A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

ចំណែកផ្នែក: 533

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1000V (1kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

ចំណែកផ្នែក: 1743

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2.7mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

ចំណែកផ្នែក: 448

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 99A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

ចំណែកផ្នែក: 2026

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 2.5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

ចំណែកផ្នែក: 1204

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

ចំណែកផ្នែក: 712

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 95A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

ចំណែកផ្នែក: 306

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 147A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 30mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

ចំណែកផ្នែក: 1671

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 37A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 1mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

ចំណែកផ្នែក: 461

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 90A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 5mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM120A15FG

ចំណែកផ្នែក: 396

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V (1.2kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 10mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

ចំណែកផ្នែក: 936

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 800V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 2mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

ចំណែកផ្នែក: 423

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 180A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5V @ 10mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

ចំណែកផ្នែក: 488

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 495A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 10mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTMC170AM60CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

ចំណែកផ្នែក: 196

ប្រភេទហ្វីត: 2 N Channel (Phase Leg), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Silicon Carbide (SiC), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1700V (1.7kV), ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

APTC60VDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

ចំណែកផ្នែក: 1797

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Super Junction, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 49A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3.9V @ 3mA,

ជូនចំពោះបញ្ជីប្រាថ្នា

3600

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»