ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

TPCF8304(TE85L,F,M

ចំណែកផ្នែក: 2938

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 1mA,

DMC25D0UVT-7

ចំណែកផ្នែក: 145606

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 400mA, 3.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

DMN4031SSD-13

ចំណែកផ្នែក: 188923

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

DMN601DWKQ-7

ចំណែកផ្នែក: 16267

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 305mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

DMP1046UFDB-13

ចំណែកផ្នែក: 131033

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

DMN2036UCB4-7

ចំណែកផ្នែក: 9926

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard,

ZXMC4559DN8TA

ចំណែកផ្នែក: 76154

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, 2.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

DMC3028LSD-13

ចំណែកផ្នែក: 124769

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.6A, 6.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI4936ADY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 77137

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

SI4920DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2966

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

NTTFS5C471NLTAG

ចំណែកផ្នែក: 297

EFC6602R-TR

ចំណែកផ្នែក: 159385

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDPC1002S

ចំណែកផ្នែក: 2951

FDMS7606

ចំណែកផ្នែក: 2977

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11.5A, 12A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NVMFD5C446NLT1G

ចំណែកផ្នែក: 6539

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 25A (Ta), 145A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 90µA,

FDC6306P

ចំណែកផ្នែក: 165018

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDG6301N-F085P

ចំណែកផ្នែក: 2942

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 220mA (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDG6332C-F085

ចំណែកផ្នែក: 342

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 700mA, 600mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDS8984

ចំណែកផ្នែក: 198032

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

DN2625DK6-G

ចំណែកផ្នែក: 28122

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Depletion Mode, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

UPA2672T1R-E2-AX

ចំណែកផ្នែក: 5419

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V,

QS6K1TR

ចំណែកផ្នែក: 117098

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 1mA,

QS8J4TR

ចំណែកផ្នែក: 171717

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

SP8K3TB

ចំណែកផ្នែក: 123516

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

SH8KA4TB

ចំណែកផ្នែក: 198737

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

VKM40-06P1

ចំណែកផ្នែក: 1050

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 38A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 5.5V @ 3mA,

GWM100-0085X1-SMD SAM

ចំណែកផ្នែក: 2495

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 85V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 103A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

GWM100-0085X1-SMD

ចំណែកផ្នែក: 2946

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 85V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 103A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

GMM3X160-0055X2-SMDSAM

ចំណែកផ្នែក: 3108

ប្រភេទហ្វីត: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 150A, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 1mA,

CSD87350Q5D

ចំណែកផ្នែក: 68849

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.1V @ 250µA,

CSD86336Q3DT

ចំណែកផ្នែក: 2714

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 5V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA,

TSM4925DCS RLG

ចំណែកផ្នែក: 10771

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.1A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

IRF7328TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 121945

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

CTLDM7120-M832DS BK

ចំណែកផ្នែក: 3005

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1A (Ta), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 1mA,

MCMNP517-TP

ចំណែកផ្នែក: 151419

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 4.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

SLA5061

ចំណែកផ្នែក: 9369

ប្រភេទហ្វីត: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V,