ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZX384B75-G3-18

BZX384B75-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 108483

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 255 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 52.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C20-G3-18

BZX384C20-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 166163

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 14V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C20-HE3-18

BZX384C20-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 166993

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 14V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C2V4-G3-18

BZT52C2V4-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 158761

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C5V6-HE3-18

BZX384C5V6-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 148171

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C7V5-HE3-18

BZT52C7V5-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 100059

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C4V3-HE3-08

BZX384C4V3-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 156993

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B33-G3-18

BZT52B33-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 171594

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 25V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B4V3-G3-18

BZX384B4V3-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 102850

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C8V2-G3-18

BZX384C8V2-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 150572

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 700nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B62-G3-08

BZX384B62-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 158270

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 215 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 43.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C39-G3-08

BZT52C39-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 109208

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 29V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C12-HE3-18

BZX384C12-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 160498

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C2V7-G3-08

BZX384C2V7-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 114659

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 20µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C47-E3-18

BZT52C47-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 131865

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 35V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B6V8-HE3-08

BZX384B6V8-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 143830

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B15-HE3-08

BZX384B15-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 140695

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 10.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C51-HE3-08

BZT52C51-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 166155

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 51V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 38V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B27-G3-08

BZT52B27-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 133896

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 20V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C11-E3-18

BZX384C11-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 195920

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C13-E3-18

BZX384C13-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 119707

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B18-E3-18

BZX384B18-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 122366

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 12.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B56-HE3-18

BZX384B56-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 132077

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 39.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B20-E3-18

BZT52B20-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 138462

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 15V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C56-HE3-18

BZT52C56-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 111314

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 135 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B3V0-HE3-08

BZT52B3V0-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 191863

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B3V6-HE3-18

BZX384B3V6-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 175704

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C22-G3-08

BZT52C22-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 154761

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 17V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B3V9-HE3-18

BZT52B3V9-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 123942

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C6V2-G3-18

BZT52C6V2-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 106711

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C20-E3-18

BZT52C20-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 187151

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 15V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C3V0-HE3-08

BZT52C3V0-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 140125

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B4V3-E3-08

BZX384B4V3-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 142218

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B11-HE3-18

BZX384B11-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 119902

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B3V0-E3-08

BZT52B3V0-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 170654

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B3V0-HE3-08

BZX384B3V0-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 102005

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា