ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZX384C43-HE3-18

BZX384C43-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 180898

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 30.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B33-E3-08

BZX384B33-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 167818

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 23.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B62-E3-18

BZX384B62-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 106042

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 215 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 43.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B6V8-G3-08

BZX384B6V8-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 104737

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B24-E3-18

BZT52B24-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 151379

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 28 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B27-E3-08

BZT52B27-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 167753

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 20V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B10-E3-18

BZT52B10-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 101674

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5.2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 7.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C68-E3-18

BZT52C68-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 153009

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B13-G3-08

BZT52B13-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 137966

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 9 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C39-HE3-08

BZX384C39-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 169511

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 130 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 27.3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C9V1-G3-18

BZT52C9V1-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 108909

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B56-E3-08

BZX384B56-E3-08

ចំណែកផ្នែក: 124703

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 39.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C3V0-G3-08

BZX384C3V0-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 174185

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B43-E3-18

BZX384B43-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 102359

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 30.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B3V6-HE3-18

BZT52B3V6-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 186791

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C11-G3-08

BZX384C11-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 193371

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B13-HE3-08

BZX384B13-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 179870

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C5V6-G3-08

BZT52C5V6-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 103023

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B43-G3-08

BZX384B43-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 110742

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 30.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B9V1-HE3-08

BZX384B9V1-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 144036

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B11-G3-08

BZX384B11-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 142336

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B62-G3-18

BZT52B62-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 106999

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C3V0-G3-18

BZT52C3V0-G3-18

ចំណែកផ្នែក: 104528

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B8V2-G3-08

BZT52B8V2-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 156586

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B8V2-HE3-08

BZT52B8V2-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 185745

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4.5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B8V2-E3-18

BZX384B8V2-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 197547

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 700nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B4V7-G3-08

BZT52B4V7-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 136553

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C43-HE3-08

BZT52C43-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 158165

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 32V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C24-HE3-08

BZT52C24-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 151721

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 28 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B2V7-HE3-18

BZX384B2V7-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 193583

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 20nA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C10-G3-08

BZT52C10-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 135628

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5.2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 7.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384B2V4-G3-08

BZX384B2V4-G3-08

ចំណែកផ្នែក: 185488

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C15-HE3-18

BZX384C15-HE3-18

ចំណែកផ្នែក: 191603

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 10.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C22-E3-18

BZT52C22-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 149761

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 17V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZX384C51-E3-18

BZX384C51-E3-18

ចំណែកផ្នែក: 120833

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 51V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 180 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 35.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C3V6-HE3-08

BZT52C3V6-HE3-08

ចំណែកផ្នែក: 107117

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 410mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms,

បញ្ជីប្រាថ្នា