ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 18

19MT050XF

ចំណែកផ្នែក: 2704

ប្រភេទហ្វីត: 4 N-Channel (H-Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 31A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 6V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI1033X-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 174190

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 145mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SIA777EDJ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 187147

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.5A, 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 118937

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 3.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.8V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 80900

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 800mV @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7962DP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 38892

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7900AEDN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 139913

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SUD50NP04-77P-T4E3

ចំណែកផ្នែក: 118918

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 192809

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.6V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 152475

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 139953

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 56765

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 450mV @ 5mA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6975DQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 89660

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 450mV @ 5mA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 102782

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 165688

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 139906

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4943BDY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 73684

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6954ADQ-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 197681

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI8900EDB-T2-E1

ចំណែកផ្នែក: 45537

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.4A, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 1.1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 93108

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6968BEDQ-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 118914

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.6V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7904BDN-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 165763

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4948BEY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 125231

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4946BEY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 150097

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 80857

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 800mV @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI3951DV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 199685

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 101885

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 125159

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 118967

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 140725

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A, 16A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7923DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 101842

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SIZ918DT-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 132159

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A, 28A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4505DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 118954

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 3.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.8V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7913DN-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 93083

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4554DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 106365

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SQ4282EY-T1_GE3

ចំណែកផ្នែក: 10808

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា