ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 18

SI4942DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2829

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4622DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2830

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 1mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI5915BDC-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2830

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 3373

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7530DP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2779

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, 3.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4226DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2790

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI5903DC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2802

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 600mV @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI5509DC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2824

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.1A, 4.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4908DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2849

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6973DQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2819

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 450mV @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4972DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2770

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10.8A, 7.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6967DQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2883

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 450mV @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SIA921EDJ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 107104

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SIB911DK-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2759

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4340CDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2692

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14.1A, 20A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6966EDQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 3300

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 600mV @ 250µA (Min),

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4563DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2834

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4944DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2773

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI1555DL-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 3341

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 660mA, 570mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.4V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI1029X-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2706

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 305mA, 190mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4992EY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 3302

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 75V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4923DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2800

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4973DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2800

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7842DP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2760

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4340DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2736

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.3A, 9.9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2741

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6981DQ-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2748

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 900mV @ 300µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7925DN-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2813

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6544BDQ-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2797

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.7A, 3.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7540DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2788

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.6A, 5.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4914DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 2801

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Half Bridge), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, 5.7A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4906DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2837

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7842DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2811

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.4V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7218DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 99158

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 24A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SMMA511DJ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2895

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6924AEDQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 2794

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 28V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

បញ្ជីប្រាថ្នា