ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 100

SI7784DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 683

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 35A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7160DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 629

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4660DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 683

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 23.1A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR420ATRPBF

ចំណែកផ្នែក: 98624

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRL540PBF

ចំណែកផ្នែក: 37415

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4398DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 640

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SIB413DK-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 656

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI1046R-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 658

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI5475DDC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 193846

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7601DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 664

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI5447DC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 679

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRF9540PBF

ចំណែកផ្នែក: 38759

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 19A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7411DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 620

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 11.4A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR420TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 180849

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI1067X-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 634

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFP460PBF

ចំណែកផ្នែក: 19003

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFU9220PBF

ចំណែកផ្នែក: 37016

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6433BDQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 5687

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7748DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 91365

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4866BDY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 147258

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6459BDQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 691

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.2A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.7A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7758DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 87628

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI1065X-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 660

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR014TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 196214

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.7A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4448DY-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 655

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 50A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7802DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 637

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.24A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 435 mOhm @ 1.95A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI4825DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 711

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.1A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7485DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 647

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRF9510PBF

ចំណែកផ្នែក: 73271

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6435ADQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 669

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI2351DS-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 672

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.8A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SIR496DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 659

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 35A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRFR110TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 192453

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI7620DN-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 632

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 150V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 3.6A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

IRLR024TRPBF

ចំណែកផ្នែក: 180882

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 14A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 649

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.2A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា