Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ
SI6466ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6466ADQ-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1030

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI7860DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7860DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1081

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 18A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SUM90N06-4M4P-E3
Vishay Siliconix

SUM90N06-4M4P-E3

ចំណែកផ្នែក: 987

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 90A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI3445DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3445DV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1039

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI5441DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5441DC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1068

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI3454CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3454CDV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1041

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.2A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIB455EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB455EDK-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 967

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI9424BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9424BDY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1062

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.6A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI3424DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3424DV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1007

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.7A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI4453DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4453DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1029

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI7682DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7682DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1069

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI7405BDN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7405BDN-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 132128

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 16A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI4462DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4462DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 6188

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI4418DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4418DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1021

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 6V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI3445ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3445ADV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1082

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.4A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI4401DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4401DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1062

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 10.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SIHF18N50C-E3
Vishay Siliconix

SIHF18N50C-E3

ចំណែកផ្នែក: 909

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 500V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 18A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRFR9220PBF
Vishay Siliconix

IRFR9220PBF

ចំណែកផ្នែក: 45557

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI4176DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4176DY-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 6141

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI7886ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7886ADP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 1120

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI2321DS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2321DS-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 6142

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SUD50N04-37P-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD50N04-37P-T4-E3

ចំណែកផ្នែក: 6120

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.4A (Ta), 8A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI5445BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5445BDC-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1042

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 8V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.2A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI5485DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5485DU-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1084

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI3473DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3473DV-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1082

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SUP60N06-12P-GE3
Vishay Siliconix

SUP60N06-12P-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1099

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 60A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI7840BDP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7840BDP-T1-E3

ចំណែកផ្នែក: 1072

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI7856ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7856ADP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1107

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI1470DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1470DH-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 970

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.1A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SQD35N05-26L-GE3
Vishay Siliconix

SQD35N05-26L-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1081

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 55V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 30A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI1304BDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1304BDL-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 947

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 900mA (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 2.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 900mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SUP75P03-07-E3
Vishay Siliconix

SUP75P03-07-E3

ចំណែកផ្នែក: 23040

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 75A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI5486DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5486DU-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1009

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 12A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI7491DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7491DP-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 1098

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 18A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
IRF730PBF
Vishay Siliconix

IRF730PBF

ចំណែកផ្នែក: 53132

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 400V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SI1417EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1417EDH-T1-GE3

ចំណែកផ្នែក: 967

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.8V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា