ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

UDZS6V2B RRG

UDZS6V2B RRG

ចំណែកផ្នែក: 196

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2.7µA @ 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ16SC R0G

MTZJ16SC R0G

ចំណែកផ្នែក: 169

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 12V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ZM4740A L0G

ZM4740A L0G

ចំណែកផ្នែក: 241

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 7.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5258B RHG

MMSZ5258B RHG

ចំណែកផ្នែក: 181

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 27V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ10SB R0G

MTZJ10SB R0G

ចំណែកផ្នែក: 208

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.66V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ9V1SA R0G

MTZJ9V1SA R0G

ចំណែកផ្នែក: 174

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.51V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ24SB R0G

MTZJ24SB R0G

ចំណែកផ្នែក: 193

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 23.19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 19V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ7V5SA R0G

MTZJ7V5SA R0G

ចំណែកផ្នែក: 158

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.04V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UDZS30B RRG

UDZS30B RRG

ចំណែកផ្នែក: 232

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45nA @ 23V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UDZS4V7B RRG

UDZS4V7B RRG

ចំណែកផ្នែក: 258

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2.7µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ZM4744A L0G

ZM4744A L0G

ចំណែកផ្នែក: 183

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 14 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 11.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ZM4748A L0G

ZM4748A L0G

ចំណែកផ្នែក: 154

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 16.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ22SB R0G

MTZJ22SB R0G

ចំណែកផ្នែក: 216

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 21.18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 17V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5235B RHG

MMSZ5235B RHG

ចំណែកផ្នែក: 236

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UDZS5V1B RRG

UDZS5V1B RRG

ចំណែកផ្នែក: 200

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1.8µA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5254B RHG

MMSZ5254B RHG

ចំណែកផ្នែក: 257

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 41 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 21V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5261B RHG

MMSZ5261B RHG

ចំណែកផ្នែក: 187

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 105 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 36V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ12SA R0G

MTZJ12SA R0G

ចំណែកផ្នែក: 179

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11.42V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 9V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ZM4756A L0G

ZM4756A L0G

ចំណែកផ្នែក: 252

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 35.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UDZS12B RRG

UDZS12B RRG

ចំណែកផ្នែក: 251

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 90nA @ 9V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ3V0SB R0G

MTZJ3V0SB R0G

ចំណែកផ្នែក: 163

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 120 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ5V6SC R0G

MTZJ5V6SC R0G

ចំណែកផ្នែក: 203

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.76V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
ZM4734A L0G

ZM4734A L0G

ចំណែកផ្នែក: 238

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ39SF R0G

MTZJ39SF R0G

ចំណែកផ្នែក: 216

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39.13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ4V3SC R0G

MTZJ4V3SC R0G

ចំណែកផ្នែក: 248

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.44V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ27SB R0G

MTZJ27SB R0G

ចំណែកផ្នែក: 203

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 25.62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 21V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ39SA R0G

MTZJ39SA R0G

ចំណែកផ្នែក: 206

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 35.58V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 85 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 30V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ16SA R0G

MTZJ16SA R0G

ចំណែកផ្នែក: 165

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15.19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 12V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ8V2SB R0G

MTZJ8V2SB R0G

ចំណែកផ្នែក: 175

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.99V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ33SC R0G

MTZJ33SC R0G

ចំណែកផ្នែក: 182

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 31.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 65 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 25V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ3V6SB R0G

MTZJ3V6SB R0G

ចំណែកផ្នែក: 176

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.72V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ4V7SA R0G

MTZJ4V7SA R0G

ចំណែកផ្នែក: 206

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ18SC R0G

MTZJ18SC R0G

ចំណែកផ្នែក: 183

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 17.88V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 13V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MTZJ36SD R0G

MTZJ36SD R0G

ចំណែកផ្នែក: 246

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 34.89V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 75 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 200nA @ 27V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5250B RHG

MMSZ5250B RHG

ចំណែកផ្នែក: 181

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 15V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TSZL52C3V0 RWG

TSZL52C3V0 RWG

ចំណែកផ្នែក: 205

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា