ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

BZT52C6V2 RHG

BZT52C6V2 RHG

ចំណែកផ្នែក: 9907

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2.7µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B3V6 RHG

BZT52B3V6 RHG

ចំណែកផ្នែក: 9947

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 4.5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C82P RVG

BZD27C82P RVG

ចំណែកផ្នែក: 9941

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 82V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 62V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C11P RVG

BZD27C11P RVG

ចំណែកផ្នែក: 16212

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 4µA @ 8.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C6V8S RRG

BZT52C6V8S RRG

ចំណែកផ្នែក: 16222

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1.8µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B2V4 RHG

BZT52B2V4 RHG

ចំណែកផ្នែក: 16207

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52B39 RHG

BZT52B39 RHG

ចំណែកផ្នែក: 16269

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 130 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45nA @ 27.3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C12 RHG

BZT52C12 RHG

ចំណែកផ្នែក: 16271

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 90nA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C15S RRG

BZT52C15S RRG

ចំណែកផ្នែក: 16246

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45nA @ 10.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C20S RRG

BZT52C20S RRG

ចំណែកផ្នែក: 16288

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45nA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZT52C9V1 RHG

BZT52C9V1 RHG

ចំណែកផ្នែក: 16267

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 450nA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C8V2P RUG

BZD27C8V2P RUG

ចំណែកផ្នែក: 6797

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.09%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C7V5P RUG

BZD27C7V5P RUG

ចំណែកផ្នែក: 6827

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.45V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.04%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C6V8P RUG

BZD27C6V8P RUG

ចំណែកផ្នែក: 6797

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5.88%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 3 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C10P RVG

BZD27C10P RVG

ចំណែកផ្នែក: 6790

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 7µA @ 7.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C9V1P RFG

BZD27C9V1P RFG

ចំណែកផ្នែក: 3763

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.05V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.07%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C9V1P R3G

BZD27C9V1P R3G

ចំណែកផ្នែក: 6845

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.05V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.07%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C8V2P R3G

BZD27C8V2P R3G

ចំណែកផ្នែក: 6798

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.09%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C8V2P RFG

BZD27C8V2P RFG

ចំណែកផ្នែក: 6783

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.09%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C7V5P R3G

BZD27C7V5P R3G

ចំណែកផ្នែក: 6811

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.45V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.04%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C7V5P RFG

BZD27C7V5P RFG

ចំណែកផ្នែក: 6808

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.45V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.04%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C6V8P RFG

BZD27C6V8P RFG

ចំណែកផ្នែក: 6813

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5.88%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 3 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C6V8P R3G

BZD27C6V8P R3G

ចំណែកផ្នែក: 6825

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5.88%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 3 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C10P RFG

BZD27C10P RFG

ចំណែកផ្នែក: 3694

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 7µA @ 7.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C10P R3G

BZD27C10P R3G

ចំណែកផ្នែក: 6859

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 7µA @ 7.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C9V1P RTG

BZD27C9V1P RTG

ចំណែកផ្នែក: 6856

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.05V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.07%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C9V1P RQG

BZD27C9V1P RQG

ចំណែកផ្នែក: 6780

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.05V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.07%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C9V1P MTG

BZD27C9V1P MTG

ចំណែកផ្នែក: 6843

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.05V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.07%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C9V1P MQG

BZD27C9V1P MQG

ចំណែកផ្នែក: 6843

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.05V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.07%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 4 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C8V2P RTG

BZD27C8V2P RTG

ចំណែកផ្នែក: 6859

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.09%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C8V2P RQG

BZD27C8V2P RQG

ចំណែកផ្នែក: 6818

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.09%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C8V2P MQG

BZD27C8V2P MQG

ចំណែកផ្នែក: 6806

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.09%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C8V2P MTG

BZD27C8V2P MTG

ចំណែកផ្នែក: 3688

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.09%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C7V5P RTG

BZD27C7V5P RTG

ចំណែកផ្នែក: 6847

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.45V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.04%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C7V5P RQG

BZD27C7V5P RQG

ចំណែកផ្នែក: 6821

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.45V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.04%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
BZD27C7V5P MQG

BZD27C7V5P MQG

ចំណែកផ្នែក: 6834

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.45V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6.04%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា