ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីផូឡា (ប៊ីជេធី) - អារេ, បុរេលំអៀ

ផ្ទហ
ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីផូឡា (ប៊ីជេធី) - អារេ, បុរេលំអៀ

Rohm Semiconductor

UMH6NTR

ចំណែកផ្នែក: 126310

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMB11FHAT2R

ចំណែកផ្នែក: 21610

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMH14NTR

ចំណែកផ្នែក: 164095

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMF24T2R

ចំណែកផ្នែក: 120332

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMH1AT110

ចំណែកផ្នែក: 134484

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMB9NTN

ចំណែកផ្នែក: 166683

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

FMC3AT148

ចំណែកផ្នែក: 100804

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMB1NTN

ចំណែកផ្នែក: 179097

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMF5NTR

ចំណែកផ្នែក: 165147

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 12V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMD16AT108

ចំណែកផ្នែក: 131676

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 100 kOhms, 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMD10AT108

ចំណែកផ្នែក: 169443

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, 100 Ohms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMB8NTR

ចំណែកផ្នែក: 142777

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMH5AT108

ចំណែកផ្នែក: 102684

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMG8NTR

ចំណែកផ្នែក: 155757

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMB2T2R

ចំណែកផ្នែក: 155232

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMF21NTR

ចំណែកផ្នែក: 181499

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 12V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMD14T108

ចំណែកផ្នែក: 107296

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 220 Ohms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMD1AT108

ចំណែកផ្នែក: 144421

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMF21T2R

ចំណែកផ្នែក: 179260

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 12V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMF22T2R

ចំណែកផ្នែក: 1487

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, 12V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMH9FHAT2R

ចំណែកផ្នែក: 21662

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

FMG9AT248

ចំណែកផ្នែក: 1454

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMC5NTR

ចំណែកផ្នែក: 188440

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMH9T2R

ចំណែកផ្នែក: 199722

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMB6NTR

ចំណែកផ្នែក: 185942

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMG9NTR

ចំណែកផ្នែក: 117666

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMA11T2R

ចំណែកផ្នែក: 175669

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMD3NTR

ចំណែកផ្នែក: 185071

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMH9NTN

ចំណែកផ្នែក: 156300

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMD5NTR

ចំណែកផ្នែក: 173235

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMG8T2R

ចំណែកផ្នែក: 168622

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMH8AT108

ចំណែកផ្នែក: 120428

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

IMH6AT108

ចំណែកផ្នែក: 151699

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

UMC2NTR

ចំណែកផ្នែក: 107395

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMF17T2R

ចំណែកផ្នែក: 126849

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, 150mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

EMH15T2R

ចំណែកផ្នែក: 102823

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

187

«
1
2
3
4
5
6
»