ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - FETs, MOSFETs - នៅលីវ | ការបែងចែកផលិតផលអេឡិចត្រូនិច | 18

R6015FNX

ចំណែកផ្នែក: 11226

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 15A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RCX510N25

ចំណែកផ្នែក: 15729

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 51A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

R6004KNJTL

ចំណែកផ្នែក: 75363

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SCT2750NYTB

ចំណែកផ្នែក: 15479

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1700V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.9A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 18V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 975 mOhm @ 1.7A, 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SCT3060ALGC11

ចំណែកផ្នែក: 7128

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 650V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 39A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 18V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 13A, 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SCH2080KEC

ចំណែកផ្នែក: 2547

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 40A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 18V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RRH050P03GZETB

ចំណែកផ្នែក: 6288

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SCT3040KLGC11

ចំណែកផ្នែក: 2854

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 55A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 18V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 20A, 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RSS090P03FU7TB

ចំណែកផ្នែក: 135899

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RP1E090RPTR

ចំណែកផ្នែក: 2073

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 9A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RCD080N25TL

ចំណែកផ្នែក: 99109

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 250V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SCT2H12NYTB

ចំណែកផ្នែក: 18112

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1700V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 18V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SCT3030ALGC11

ចំណែកផ្នែក: 3030

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 650V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 70A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 18V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 27A, 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

R6004ENDTL

ចំណែកផ្នែក: 156482

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 1.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RAQ045P01TCR

ចំណែកផ្នែក: 1902

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 12V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 1.5V, 4.5V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RS1E200GNTB

ចំណែកផ្នែក: 196672

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RSS065N06FRATB

ចំណែកផ្នែក: 10801

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RMW130N03TB

ចំណែកផ្នែក: 190282

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 13A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RMW200N03TB

ចំណែកផ្នែក: 116058

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 20A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RP1E090XNTCR

ចំណែកផ្នែក: 1429

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RP1E070XNTCR

ចំណែកផ្នែក: 1473

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RP1E100XNTR

ចំណែកផ្នែក: 6211

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RP1E075RPTR

ចំណែកផ្នែក: 1446

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RS3E075ATTB

ចំណែកផ្នែក: 122522

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RSH065N03TB1

ចំណែកផ្នែក: 197099

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RSD220N06TL

ចំណែកផ្នែក: 102535

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RP1L080SNTR

ចំណែកផ្នែក: 1473

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RS3E135BNGZETB

ចំណែកផ្នែក: 183103

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RND030N20TL

ចំណែកផ្នែក: 172245

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 870 mOhm @ 1.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

R6006ANDTL

ចំណែកផ្នែក: 68225

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RP1H065SPTR

ចំណែកផ្នែក: 1481

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 45V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6.5A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

R6004CNDTL

ចំណែកផ្នែក: 76158

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 600V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RRH100P03GZETB

ចំណែកផ្នែក: 101180

ប្រភេទហ្វីត: P-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RD3L080SNTL1

ចំណែកផ្នែក: 10823

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 8A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 8A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

RS1E280GNTB

ចំណែកផ្នែក: 189450

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: MOSFET (Metal Oxide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 28A (Ta), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 4.5V, 10V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 28A, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា

Rohm Semiconductor

SCT2160KEC

ចំណែកផ្នែក: 7564

ប្រភេទហ្វីត: N-Channel, បច្ចេកវិទ្យា: SiCFET (Silicon Carbide), បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 1200V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 22A (Tc), វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា): 18V, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 208 mOhm @ 7A, 18V,

បញ្ជីប្រាថ្នា