ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ, បុរេលំអ

UNR221600L

UNR221600L

ចំណែកផ្នែក: 2212

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR911MJ0L

UNR911MJ0L

ចំណែកផ្នែក: 2231

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRC2523E0L

DRC2523E0L

ចំណែកផ្នែក: 125916

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR212X00L

UNR212X00L

ចំណែកផ្នែក: 3230

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 270 Ohms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 5 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA5123E0L

DRA5123E0L

ចំណែកផ្នែក: 155349

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA3114Y0L

DRA3114Y0L

ចំណែកផ្នែក: 171247

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR521N00L

UNR521N00L

ចំណែកផ្នែក: 3303

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR221N00L

UNR221N00L

ចំណែកផ្នែក: 2213

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRC3143Y0L

DRC3143Y0L

ចំណែកផ្នែក: 107146

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA2115T0L

DRA2115T0L

ចំណែកផ្នែក: 145479

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA2144W0L

DRA2144W0L

ចំណែកផ្នែក: 189526

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR421400A

UNR421400A

ចំណែកផ្នែក: 2293

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR9111J0L

UNR9111J0L

ចំណែកផ្នែក: 2160

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRC3124X0L

DRC3124X0L

ចំណែកផ្នែក: 127888

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR422300A

UNR422300A

ចំណែកផ្នែក: 2213

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR31A900L

UNR31A900L

ចំណែកផ្នែក: 2211

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR411F00A

UNR411F00A

ចំណែកផ្នែក: 2176

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR9218J0L

UNR9218J0L

ចំណែកផ្នែក: 2199

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 510 Ohms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 5.1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA5L14Y0L

DRA5L14Y0L

ចំណែកផ្នែក: 102289

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR211700L

UNR211700L

ចំណែកផ្នែក: 2154

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA3143Y0L

DRA3143Y0L

ចំណែកផ្នែក: 118750

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR31AE00L

UNR31AE00L

ចំណែកផ្នែក: 2198

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRC2114W0L

DRC2114W0L

ចំណែកផ្នែក: 186264

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRC2144W0L

DRC2144W0L

ចំណែកផ្នែក: 105865

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR422200A

UNR422200A

ចំណែកផ្នែក: 2279

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR211D00L

UNR211D00L

ចំណែកផ្នែក: 2190

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA2115E0L

DRA2115E0L

ចំណែកផ្នែក: 185252

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 100 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR221500L

UNR221500L

ចំណែកផ្នែក: 2203

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR421F00A

UNR421F00A

ចំណែកផ្នែក: 2262

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNRF2A300A

UNRF2A300A

ចំណែកផ្នែក: 127624

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 80mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR211400L

UNR211400L

ចំណែកផ្នែក: 3275

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRC2523Y0L

DRC2523Y0L

ចំណែកផ្នែក: 152810

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNR42100RA

UNR42100RA

ចំណែកផ្នែក: 2215

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRA2143X0L

DRA2143X0L

ចំណែកផ្នែក: 110133

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
UNRL21500A

UNRL21500A

ចំណែកផ្នែក: 193667

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DRC3115E0L

DRC3115E0L

ចំណែកផ្នែក: 152629

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 100 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា