ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអុបទិក - ឆ្លុះបញ្ចាំង - លទ្ធផលអាណាឡ

CNB10010RL

CNB10010RL

ចំណែកផ្នែក: 2775

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB13020R0LF

CNB13020R0LF

ចំណែកផ្នែក: 2765

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB23010R

CNB23010R

ចំណែកផ្នែក: 2755

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB13020R

CNB13020R

ចំណែកផ្នែក: 2766

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB10010WL

CNB10010WL

ចំណែកផ្នែក: 2683

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB10020RL

CNB10020RL

ចំណែកផ្នែក: 2754

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB23010R0LF

CNB23010R0LF

ចំណែកផ្នែក: 2746

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB1304H

CNB1304H

ចំណែកផ្នែក: 23009

វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB13020S0LF

CNB13020S0LF

ចំណែកផ្នែក: 2748

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB13020S

CNB13020S

ចំណែកផ្នែក: 2734

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNZ2153

CNZ2153

ចំណែកផ្នែក: 2754

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.118" (3mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB1301

CNB1301

ចំណែកផ្នែក: 2794

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.098" (2.5mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB10010HL

CNB10010HL

ចំណែកផ្នែក: 2713

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB10010SL

CNB10010SL

ចំណែកផ្នែក: 2753

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB2301

CNB2301

ចំណែកផ្នែក: 2755

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 30mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Photodarlington,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB10010LL

CNB10010LL

ចំណែកផ្នែក: 2692

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 50mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CNB10112

CNB10112

ចំណែកផ្នែក: 2697

អារម្មណ៍ចម្ងាយ: 0.039" (1mm), វិធីសាស្ត្ររំញោច: Reflective, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 35V, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 20mA, ចរន្ត - ឌីស៊ីបញ្ជូនបន្ត (បើ) (អតិបរមា): 30mA, ប្រភេទលទ្ធផល: Phototransistor,

បញ្ជីប្រាថ្នា