Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ
MJE802G
ON Semiconductor

MJE802G

ចំណែកផ្នែក: 124162

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2.5V @ 30mA, 1.5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPSA12RLRP
ON Semiconductor

MPSA12RLRP

ចំណែកផ្នែក: 6700

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 10µA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJL0302A
ON Semiconductor

MJL0302A

ចំណែកផ្នែក: 6382

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 260V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 500mA, 5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJE271
ON Semiconductor

MJE271

ចំណែកផ្នែក: 6411

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 3V @ 1.2mA, 120mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NJVMJD44H11T4G-VF01
ON Semiconductor

NJVMJD44H11T4G-VF01

ចំណែកផ្នែក: 198847

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 400mA, 8A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
P2N2907AZL1G
ON Semiconductor

P2N2907AZL1G

ចំណែកផ្នែក: 6429

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.6V @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSV12100UW3TCG
ON Semiconductor

NSV12100UW3TCG

ចំណែកផ្នែក: 129179

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 440mV @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJD31CG
ON Semiconductor

MJD31CG

ចំណែកផ្នែក: 152568

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.2V @ 375mA, 3A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
KSD1588OTU
ON Semiconductor

KSD1588OTU

ចំណែកផ្នែក: 6116

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 7A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 500mA, 5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
KSB708RTU
ON Semiconductor

KSB708RTU

ចំណែកផ្នែក: 6144

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 7A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 500mA, 5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CPH3115-TL-E
ON Semiconductor

CPH3115-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 144891

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 375mV @ 15mA, 750mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SBC857BWT1G
ON Semiconductor

SBC857BWT1G

ចំណែកផ្នែក: 122331

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 650mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TIP107TU
ON Semiconductor

TIP107TU

ចំណែកផ្នែក: 79673

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2.5V @ 80mA, 8A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPS3702_D26Z
ON Semiconductor

MPS3702_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 6463

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 800mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPSA28RLRP
ON Semiconductor

MPSA28RLRP

ចំណែកផ្នែក: 6385

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 100µA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPS2222RLRA
ON Semiconductor

MPS2222RLRA

ចំណែកផ្នែក: 6350

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.6V @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJF2955
ON Semiconductor

MJF2955

ចំណែកផ្នែក: 6406

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 90V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2.5V @ 3.3A, 10A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPS6513_D26Z
ON Semiconductor

MPS6513_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 6477

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJP5554
ON Semiconductor

FJP5554

ចំណែកផ្នែក: 6448

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 400V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 1A, 3.5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 250µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPS750RLRA
ON Semiconductor

MPS750RLRA

ចំណែកផ្នែក: 6357

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPSA13G
ON Semiconductor

MPSA13G

ចំណែកផ្នែក: 6442

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 100µA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SBCP56-10T1G
ON Semiconductor

SBCP56-10T1G

ចំណែកផ្នែក: 184982

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
PN100_D26Z
ON Semiconductor

PN100_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 6587

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 20mA, 200mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NJVMJD117T4G
ON Semiconductor

NJVMJD117T4G

ចំណែកផ្នែក: 164623

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 3V @ 40mA, 4A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPSA63G
ON Semiconductor

MPSA63G

ចំណែកផ្នែក: 6383

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 100µA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSCT817-40LT1G
ON Semiconductor

NSCT817-40LT1G

ចំណែកផ្នែក: 6397

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 700mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MCH6101-TL-E
ON Semiconductor

MCH6101-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 101257

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 180mV @ 15mA, 750mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBT6521LT1G
ON Semiconductor

MMBT6521LT1G

ចំណែកផ្នែក: 164647

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJD2955-1G
ON Semiconductor

MJD2955-1G

ចំណែកផ្នែក: 6406

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 8V @ 3.3A, 10A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
KSD1221OTU
ON Semiconductor

KSD1221OTU

ចំណែកផ្នែក: 6728

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 300mA, 3A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMJT9435T3G
ON Semiconductor

MMJT9435T3G

ចំណែកផ្នែក: 6367

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 550mV @ 300mA, 3A, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJAF6808DTU
ON Semiconductor

FJAF6808DTU

ចំណែកផ្នែក: 6615

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 750V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 5V @ 1.2A, 5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBTA13_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA13_D87Z

ចំណែកផ្នែក: 6496

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 100µA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPS6523_D26Z
ON Semiconductor

MPS6523_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 6530

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSCT3904LT3G
ON Semiconductor

NSCT3904LT3G

ចំណែកផ្នែក: 6409

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 5mA, 50mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MPS3702_D75Z
ON Semiconductor

MPS3702_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 6543

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 800mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា