Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ
NJD1718T4G
ON Semiconductor

NJD1718T4G

ចំណែកផ្នែក: 130699

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 50mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NJVNJD35N04T4G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04T4G

ចំណែកផ្នែក: 106745

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 350V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 20mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJX1182YTF
ON Semiconductor

FJX1182YTF

ចំណែកផ្នែក: 117438

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FZT3019
ON Semiconductor

FZT3019

ចំណែកផ្នែក: 120329

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJD32T4G
ON Semiconductor

MJD32T4G

ចំណែកផ្នែក: 105821

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.2V @ 375mA, 3A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MCH3145-TL-E
ON Semiconductor

MCH3145-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 153395

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 330mV @ 50mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
KSH44H11TF
ON Semiconductor

KSH44H11TF

ចំណែកផ្នែក: 197206

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 400mA, 8A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NJVMJD350T4G
ON Semiconductor

NJVMJD350T4G

ចំណែកផ្នែក: 135300

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 300V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBTA56LT1G
ON Semiconductor

MMBTA56LT1G

ចំណែកផ្នែក: 145900

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NJV4031NT1G
ON Semiconductor

NJV4031NT1G

ចំណែកផ្នែក: 184303

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 300mA, 3A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
KSH42CTF
ON Semiconductor

KSH42CTF

ចំណែកផ្នែក: 191674

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 6A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 600mA, 6A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJ11021G
ON Semiconductor

MJ11021G

ចំណែកផ្នែក: 10533

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 15A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 250V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 3.4V @ 150mA, 15A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJD200T4G
ON Semiconductor

MJD200T4G

ចំណែកផ្នែក: 123189

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.8V @ 1A, 5A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FSB560
ON Semiconductor

FSB560

ចំណែកផ្នែក: 104131

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 350mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SMMBT2222ALT1G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT1G

ចំណែកផ្នែក: 177340

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 50mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CPH3116-TL-E
ON Semiconductor

CPH3116-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 169101

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 430mV @ 10mA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSV12200LT1G
ON Semiconductor

NSV12200LT1G

ចំណែកផ្នែក: 148051

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 12V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 180mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CPH3215-TL-H
ON Semiconductor

CPH3215-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 146816

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 225mV @ 15mA, 750mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSV20200LT1G
ON Semiconductor

NSV20200LT1G

ចំណែកផ្នែក: 195524

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 180mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBTA05LT3G
ON Semiconductor

MMBTA05LT3G

ចំណែកផ្នែក: 126347

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SMMBTA14LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA14LT3G

ចំណែកផ្នែក: 169566

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 100µA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSS30070MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30070MR6T1G

ចំណែកផ្នែក: 140385

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 700mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 70mA, 700mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor

NJVMJD6039T4G

ចំណែកផ្នែក: 186124

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2.5V @ 8mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSS40301MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS40301MZ4T3G

ចំណែកផ្នែក: 199286

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 200mV @ 300mA, 3A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJD44E3T4G
ON Semiconductor

MJD44E3T4G

ចំណែកផ្នែក: 193525

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 2V @ 20mA, 10A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSV1C201LT1G
ON Semiconductor

NSV1C201LT1G

ចំណែកផ្នែក: 133818

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 150mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJE253G
ON Semiconductor

MJE253G

ចំណែកផ្នែក: 124125

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 4A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJD32CTM
ON Semiconductor

MJD32CTM

ចំណែកផ្នែក: 119171

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.2V @ 375mA, 3A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSS20200LT1G
ON Semiconductor

NSS20200LT1G

ចំណែកផ្នែក: 118980

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 20V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 180mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
KSB772YSTU
ON Semiconductor

KSB772YSTU

ចំណែកផ្នែក: 155810

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 3A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 200mA, 2A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
TIP147TU
ON Semiconductor

TIP147TU

ចំណែកផ្នែក: 44949

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 3V @ 40mA, 10A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 2mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SMMBTA06LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA06LT3G

ចំណែកផ្នែក: 191074

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 10mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor

NJVMJD2955T4G

ចំណែកផ្នែក: 137048

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 10A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 60V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 8V @ 3.3A, 10A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSVBC850CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC850CLT1G

ចំណែកផ្នែក: 177948

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 45V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
KSH29CTF
ON Semiconductor

KSH29CTF

ចំណែកផ្នែក: 112933

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 700mV @ 125mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MJE15029G
ON Semiconductor

MJE15029G

ចំណែកផ្នែក: 48553

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 8A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 120V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 100mA, 1A, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា