Menu
CambodiaCambodia
0RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៊ីប៉ូឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ
2N5772_D75Z
ON Semiconductor

2N5772_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 5757

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 3mA, 300mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5308_D27Z
ON Semiconductor

2N5308_D27Z

ចំណែកផ្នែក: 5795

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.4V @ 200µA, 200mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5772_D26Z
ON Semiconductor

2N5772_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 6637

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 300mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 500mV @ 3mA, 300mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 500nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4410_D75Z
ON Semiconductor

2N4410_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 5836

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 200mV @ 100µA, 1mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5172_D75Z
ON Semiconductor

2N5172_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 5805

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4410_D74Z
ON Semiconductor

2N4410_D74Z

ចំណែកផ្នែក: 5805

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 200mV @ 100µA, 1mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4410_D27Z
ON Semiconductor

2N4410_D27Z

ចំណែកផ្នែក: 6668

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 80V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 200mV @ 100µA, 1mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4402_J14Z
ON Semiconductor

2N4402_J14Z

ចំណែកផ្នែក: 6610

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4402_S00Z
ON Semiconductor

2N4402_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 5789

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4402_D81Z
ON Semiconductor

2N4402_D81Z

ចំណែកផ្នែក: 5772

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3703
ON Semiconductor

2N3703

ចំណែកផ្នែក: 5781

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3702_D27Z
ON Semiconductor

2N3702_D27Z

ចំណែកផ្នែក: 5841

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3415_D75Z
ON Semiconductor

2N3415_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 5760

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 3mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3702_D26Z
ON Semiconductor

2N3702_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 5844

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 250mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3415_D74Z
ON Semiconductor

2N3415_D74Z

ចំណែកផ្នែក: 5797

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 3mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3415_D27Z
ON Semiconductor

2N3415_D27Z

ចំណែកផ្នែក: 5789

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 3mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3415_D26Z
ON Semiconductor

2N3415_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 5829

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 3mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3393_D26Z
ON Semiconductor

2N3393_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 6631

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 4.5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N7051
ON Semiconductor

2N7051

ចំណែកផ្នែក: 5802

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.5A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 100µA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 200nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5771_D75Z
ON Semiconductor

2N5771_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 5755

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N6427_D26Z
ON Semiconductor

2N6427_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 5747

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.5V @ 500µA, 500mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 1µA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 14000 @ 500mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5771_D74Z
ON Semiconductor

2N5771_D74Z

ចំណែកផ្នែក: 5793

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5771_D27Z
ON Semiconductor

2N5771_D27Z

ចំណែកផ្នែក: 5814

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5366_D75Z
ON Semiconductor

2N5366_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 6592

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 30mA, 300mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5771_D26Z
ON Semiconductor

2N5771_D26Z

ចំណែកផ្នែក: 5821

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 15V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 600mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 10nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5366_D27Z
ON Semiconductor

2N5366_D27Z

ចំណែកផ្នែក: 5793

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 30mA, 300mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5306_D74Z
ON Semiconductor

2N5306_D74Z

ចំណែកផ្នែក: 5809

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Darlington, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 1.2A, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1.4V @ 200µA, 200mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N5087_J61Z
ON Semiconductor

2N5087_J61Z

ចំណែកផ្នែក: 5824

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 300mV @ 1mA, 10mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4403_J60Z
ON Semiconductor

2N4403_J60Z

ចំណែកផ្នែក: 5800

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4403_S00Z
ON Semiconductor

2N4403_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 5781

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4403_J05Z
ON Semiconductor

2N4403_J05Z

ចំណែកផ្នែក: 5802

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4403_J18Z
ON Semiconductor

2N4403_J18Z

ចំណែកផ្នែក: 5802

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4403_D29Z
ON Semiconductor

2N4403_D29Z

ចំណែកផ្នែក: 6590

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 600mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 750mV @ 50mA, 500mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3906_J61Z
ON Semiconductor

2N3906_J61Z

ចំណែកផ្នែក: 5765

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 50mA, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N4126_S00Z
ON Semiconductor

2N4126_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 5756

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 200mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 25V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 400mV @ 5mA, 50mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
2N3704_D75Z
ON Semiconductor

2N3704_D75Z

ចំណែកផ្នែក: 5787

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 500mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 30V, តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, អាយ: 1V @ 5mA, 100mA, ចរន្ត - ការកាត់ផ្តាច់របស់អ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 100nA (ICBO), ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា