ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side or Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 8.5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 22V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side or Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 20V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5.5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 5.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side or Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 5.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 12V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: 3-Phase, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 6, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 9V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 6.1V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 13.2V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Independent, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel, P-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 5.5V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 15V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 1.2V, 2.9V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: High-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Single, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 1, ប្រភេទច្រកទ្វារ: IGBT, N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 10V ~ 20V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Low-Side, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.5V ~ 18V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដែលបានជំរុញ: Half-Bridge, ប្រភេទប៉ុស្តិ៍: Synchronous, ចំនួនអ្នកបើកបរ: 2, ប្រភេទច្រកទ្វារ: N-Channel MOSFET, វ៉ុល - ការផ្គត់ផ្គង់: 4.6V ~ 13.2V, វ៉ុលឡូជីខល - VIL, VIH: 0.8V, 2V,