ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

SZMMBZ5230BLT1G

SZMMBZ5230BLT1G

ចំណែកផ្នែក: 167065

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5257BT1G

MMSZ5257BT1G

ចំណែកផ្នែក: 127254

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 58 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 25V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z22VT1G

MM3Z22VT1G

ចំណែកផ្នែក: 122921

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 300mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 55 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 15.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z27VT1G

MM3Z27VT1G

ចំណែកផ្នែក: 129045

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 300mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 18.9V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5237BLT1G

MMBZ5237BLT1G

ចំណែកផ្នែក: 133411

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4682T1G

MMSZ4682T1G

ចំណែកផ្នែក: 100775

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z6V8B

MM3Z6V8B

ចំណែកផ្នែក: 164600

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 14 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1.8µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SZBZX84C75LT1G

SZBZX84C75LT1G

ចំណែកផ្នែក: 180769

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 75V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 255 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 52.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ3V6T1G

MMSZ3V6T1G

ចំណែកផ្នែក: 111902

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z10VC

MM3Z10VC

ចំណែកផ្នែក: 153038

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 18 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 180nA @ 7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SZ1SMB5920BT3G-VF01

SZ1SMB5920BT3G-VF01

ចំណែកផ្នែក: 108791

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SZNZ3F2V4T1G

SZNZ3F2V4T1G

ចំណែកផ្នែក: 167972

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±8.33%, ថាមពល - អតិបរមា: 800mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 120 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SZBZX84C15LT1G

SZBZX84C15LT1G

ចំណែកផ្នែក: 148692

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 10.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5230BT1G

MMSZ5230BT1G

ចំណែកផ្នែក: 147013

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z3V3B

MM3Z3V3B

ចំណែកផ្នែក: 111080

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 89 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 4.5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NZ3F15VT1G

NZ3F15VT1G

ចំណែកផ្នែក: 183453

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 800mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 10.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5232BLT1G

MMBZ5232BLT1G

ចំណែកផ្នែក: 157205

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 11 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z5V6B

MM3Z5V6B

ចំណែកផ្នែក: 108566

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 37 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 900nA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z15VC

MM3Z15VC

ចំណែកផ្នែក: 124835

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 28 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45nA @ 10.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z15VB

MM3Z15VB

ចំណែកផ្នែក: 129946

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 28 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45nA @ 10.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z5V6ST1G

MM5Z5V6ST1G

ចំណែកផ្នែក: 144876

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.61V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ24T1G

MMSZ24T1G

ចំណែកផ្នែក: 116472

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 16.8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NZ3F5V6T1G

NZ3F5V6T1G

ចំណែកផ្នែក: 109442

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±7.14%, ថាមពល - អតិបរមា: 800mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4690T1G

MMSZ4690T1G

ចំណែកផ្នែក: 119148

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z6V2ST1G

MM3Z6V2ST1G

ចំណែកផ្នែក: 146553

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 300mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4V3T1G

MMSZ4V3T1G

ចំណែកផ្នែក: 150172

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SZMMBZ5235BLT1G

SZMMBZ5235BLT1G

ចំណែកផ្នែក: 198492

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ16T1G

MMSZ16T1G

ចំណែកផ្នែក: 125999

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 11.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z2V4T1G

MM5Z2V4T1G

ចំណែកផ្នែក: 174219

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±8.3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z3V6T1G

MM5Z3V6T1G

ចំណែកផ្នែក: 106293

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5.6%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z4V7ST1G

MM3Z4V7ST1G

ចំណែកផ្នែក: 163423

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 300mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4708T1G

MMSZ4708T1G

ចំណែកផ្នែក: 148937

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10nA @ 16.7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5238BLT1G

MMBZ5238BLT1G

ចំណែកផ្នែក: 153197

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z68VB

MM3Z68VB

ចំណែកផ្នែក: 163023

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 68V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 226 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 45nA @ 47.6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SZNZ3F12VT1G

SZNZ3F12VT1G

ចំណែកផ្នែក: 163569

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5.42%, ថាមពល - អតិបរមា: 800mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.3V @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SZBZX84C4V7LT3G

SZBZX84C4V7LT3G

ចំណែកផ្នែក: 165367

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា