ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

FLZ4V3B

FLZ4V3B

ចំណែកផ្នែក: 5142

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 32 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 470nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMFZ2V7T3G

MMFZ2V7T3G

ចំណែកផ្នែក: 5280

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5230BLT3G

MMBZ5230BLT3G

ចំណែកផ្នែក: 3550

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5265BLT1

MMBZ5265BLT1

ចំណែកផ្នែក: 5315

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 185 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 47V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMFZ22T1G

MMFZ22T1G

ចំណែកផ្នែក: 5299

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5234B_D87Z

MMBZ5234B_D87Z

ចំណែកផ្នែក: 5310

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 350mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMFZ6V8T3G

MMFZ6V8T3G

ចំណែកផ្នែក: 5339

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ24VC

FLZ24VC

ចំណែកផ្នែក: 5191

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 23.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 29 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 19V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z10V

MM5Z10V

ចំណែកផ្នែក: 162823

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5254ELT3G

MMBZ5254ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5327

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 41 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 21V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z18V

MM5Z18V

ចំណែកផ្នែក: 146428

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 12.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MZP4750ARL

MZP4750ARL

ចំណែកផ្នែក: 5324

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 20.6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ8V2C

FLZ8V2C

ចំណែកផ្នែក: 5215

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6.6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 300nA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z47V

MM5Z47V

ចំណែកផ្នែក: 100982

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 170 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 32.9V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5229ELT3G

MMBZ5229ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5264

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ12VB

FLZ12VB

ចំណែកផ្នែក: 5161

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 9.5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 9V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z11V

MM5Z11V

ចំណែកផ្នែក: 189054

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z13VT1

MM3Z13VT1

ចំណែកផ្នែក: 5330

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5232ELT3G

MMBZ5232ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5283

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 11 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5263BLT1

MMBZ5263BLT1

ចំណែកផ្នែក: 5275

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 43V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5248BLT3

MMBZ5248BLT3

ចំណែកផ្នែក: 5330

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 21 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ6V8A

FLZ6V8A

ចំណែកផ្នែក: 5190

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6.6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1.1µA @ 3.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z8V2

MM5Z8V2

ចំណែកផ្នែក: 103558

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 700nA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FZD2_DHFZ006A

FZD2_DHFZ006A

ចំណែកផ្នែក: 5158

ថាមពល - អតិបរមា: 500mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z56V

MM5Z56V

ចំណែកផ្នែក: 167890

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±7%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 200 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 39.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5240B

MMSZ5240B

ចំណែកផ្នែក: 3561

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5240B

MMBZ5240B

ចំណែកផ្នែក: 5342

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 250mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ16T1

MMSZ16T1

ចំណែកផ្នែក: 5328

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 11.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ36VB

FLZ36VB

ចំណែកផ្នែក: 5205

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 63 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 27V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5261BLT3G

MMBZ5261BLT3G

ចំណែកផ្នែក: 5314

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 105 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 36V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5256ET1

MMSZ5256ET1

ចំណែកផ្នែក: 5356

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 49 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 23V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5237B_D87Z

MMBZ5237B_D87Z

ចំណែកផ្នែក: 5322

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 350mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ7V5A

FLZ7V5A

ចំណែកផ្នែក: 5216

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6.6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 300nA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ12T3G

MMSZ12T3G

ចំណែកផ្នែក: 3576

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5244ELT3G

MMBZ5244ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5303

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 14V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 10V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ4V7A

FLZ4V7A

ចំណែកផ្នែក: 3559

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 21 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 190nA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា