ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

MMSZ4701ET1

MMSZ4701ET1

ចំណែកផ្នែក: 5328

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 14V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 10.6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4709T1

MMSZ4709T1

ចំណែកផ្នែក: 5304

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10nA @ 18.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z3V6

MM5Z3V6

ចំណែកផ្នែក: 118202

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MZP4749ATAG

MZP4749ATAG

ចំណែកផ្នែក: 5425

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 18.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5249BT1

MMSZ5249BT1

ចំណែកផ្នែក: 5359

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ15VB

FLZ15VB

ចំណែកផ្នែក: 5199

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 14.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 13.3 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4707T1

MMSZ4707T1

ចំណែកផ្នែក: 5326

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10nA @ 15.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ16VA

FLZ16VA

ចំណែកផ្នែក: 5179

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15.2 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 12V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z7V5

MM5Z7V5

ចំណែកផ្នែក: 192150

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MZP4729AG

MZP4729AG

ចំណែកផ្នែក: 5364

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 3W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5230BT3

MMSZ5230BT3

ចំណែកផ្នែក: 5347

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z3V3T1

MM3Z3V3T1

ចំណែកផ្នែក: 3598

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5234ELT3G

MMBZ5234ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5251

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ39VC

FLZ39VC

ចំណែកផ្នែក: 5198

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 72 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 30V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5258BT3

MMSZ5258BT3

ចំណែកផ្នែក: 5280

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 70 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 27V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMFZ6V8T1G

MMFZ6V8T1G

ចំណែកផ្នែក: 5266

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5247B_D87Z

MMBZ5247B_D87Z

ចំណែកផ្នែក: 5344

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 17V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 350mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 13V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5237ELT3G

MMBZ5237ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5252

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z43V

MM5Z43V

ចំណែកផ្នែក: 198543

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 43V, ភាពអត់ធ្មត់: ±7%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 150 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 30.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ39VD

FLZ39VD

ចំណែកផ្នែក: 5133

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 37.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 72 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 30V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5235B

MMSZ5235B

ចំណែកផ្នែក: 5422

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ22VD

FLZ22VD

ចំណែកផ្នែក: 5165

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25.6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 133nA @ 17V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FLZ5V1A

FLZ5V1A

ចំណែកផ្នែក: 5161

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 190nA @ 1.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5245ELT3G

MMBZ5245ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5292

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 16 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5228ELT3G

MMBZ5228ELT3G

ចំណែកផ្នែក: 5331

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5255BT3

MMSZ5255BT3

ចំណែកផ្នែក: 3558

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 28V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 44 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 21V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4706

MMSZ4706

ចំណែកផ្នែក: 5098

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 14.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5250BLT3G

MMBZ5250BLT3G

ចំណែកផ្នែក: 5307

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 15V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMFZ15T1G

MMFZ15T1G

ចំណែកផ្នែក: 5312

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ27T3

MMSZ27T3

ចំណែកផ្នែក: 5287

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 18.9V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z16VST1

MM3Z16VST1

ចំណែកផ្នែក: 5255

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16.18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±2%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 11.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMFZ3V9T1G

MMFZ3V9T1G

ចំណែកផ្នែក: 5301

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4680ET1

MMSZ4680ET1

ចំណែកផ្នែក: 5292

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 4µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5261BT3G

MMSZ5261BT3G

ចំណែកផ្នែក: 5351

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 105 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 36V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5245BT3G

MMSZ5245BT3G

ចំណែកផ្នែក: 5324

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 16 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5238BT1

MMSZ5238BT1

ចំណែកផ្នែក: 5282

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា