ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

MMSZ5257BT1

MMSZ5257BT1

ចំណែកផ្នែក: 8099

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 58 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 25V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5245ELT1

MMBZ5245ELT1

ចំណែកផ្នែក: 3821

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 16 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5226BT1

MMSZ5226BT1

ចំណែកផ្នែក: 5389

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 28 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 25µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z2V7ST1G

MM5Z2V7ST1G

ចំណែកផ្នែក: 8191

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±4%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z5V1T1

MM3Z5V1T1

ចំណែកផ្នែក: 8130

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5246ELT1

MMBZ5246ELT1

ចំណែកផ្នែក: 8146

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 12V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5249BLT1

MMBZ5249BLT1

ចំណែកផ្នែក: 8094

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 19V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 14V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5V6ET1

MMSZ5V6ET1

ចំណែកផ្នែក: 8146

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5225BT1

MMSZ5225BT1

ចំណែកផ្នែក: 8108

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 29 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4700T1

MMSZ4700T1

ចំណែកផ្នែក: 8156

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 9.8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z4V7T1

MM5Z4V7T1

ចំណែកផ្នែក: 8178

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z33VT1

MM5Z33VT1

ចំណែកផ្នែក: 8200

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 23.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5236ELT1G

MMBZ5236ELT1G

ចំណែកផ្នែក: 8246

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z13VT1

MM5Z13VT1

ចំណែកផ្នែក: 8176

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 13V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 30 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z3V9ST1

MM5Z3V9ST1

ចំណែកផ្នែក: 8156

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5241BLT1

MMBZ5241BLT1

ចំណែកផ្នែក: 8088

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 8.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5245BT1

MMSZ5245BT1

ចំណែកផ្នែក: 8131

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 16 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 11V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM3Z2V4ST1

MM3Z2V4ST1

ចំណែកផ្នែក: 8130

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.4V, ភាពអត់ធ្មត់: ±4%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 120µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z62VT1

MM5Z62VT1

ចំណែកផ្នែក: 8156

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 62V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 215 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 43.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5233ET1

MMSZ5233ET1

ចំណែកផ្នែក: 8194

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ12ET1

MMSZ12ET1

ចំណែកផ្នែក: 8165

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100nA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5230BT1

MMSZ5230BT1

ចំណែកផ្នែក: 8055

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z2V7ST1

MM5Z2V7ST1

ចំណែកផ្នែក: 8152

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 2.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±4%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 100 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 100µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z16VT1

MM5Z16VT1

ចំណែកផ្នែក: 8184

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 11.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5227BT1

MMSZ5227BT1

ចំណែកផ្នែក: 8114

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 24 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 15µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ8V2ET1

MMSZ8V2ET1

ចំណែកផ្នែក: 8209

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 15 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 700nA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z3V3ST1G

MM5Z3V3ST1G

ចំណែកផ្នែក: 8241

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±3%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z30VT1

MM5Z30VT1

ចំណែកផ្នែក: 8173

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±7%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 50nA @ 21V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4690ET3

MMSZ4690ET3

ចំណែកផ្នែក: 8205

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z6V2T1

MM5Z6V2T1

ចំណែកផ្នែក: 8227

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±6%, ថាមពល - អតិបរមា: 200mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MM5Z4V3T1G

MM5Z4V3T1G

ចំណែកផ្នែក: 8227

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±7%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 90 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4692ET1

MMSZ4692ET1

ចំណែកផ្នែក: 8132

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5.1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4689ET1

MMSZ4689ET1

ចំណែកផ្នែក: 8209

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMBZ5231BLT1

MMBZ5231BLT1

ចំណែកផ្នែក: 8075

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 225mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ4693T1

MMSZ4693T1

ចំណែកផ្នែក: 3845

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 5.7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMSZ5241BT1

MMSZ5241BT1

ចំណែកផ្នែក: 8142

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 8.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 900mV @ 10mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា