Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ
1N5384BRLG
ON Semiconductor

1N5384BRLG

ចំណែកផ្នែក: 169197

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 160V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 5W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 350 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 122V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5387BRLG
ON Semiconductor

1N5387BRLG

ចំណែកផ្នែក: 175924

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 190V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 5W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 450 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 144V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1SMB5936BT3
ON Semiconductor

1SMB5936BT3

ចំណែកផ្នែក: 9827

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 550mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 28 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 22.8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1SMB5935BT3
ON Semiconductor

1SMB5935BT3

ចំណែកផ្នែក: 9769

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 550mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 20.6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1SMA5931BT3
ON Semiconductor

1SMA5931BT3

ចំណែកផ្នែក: 9495

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.5W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 12 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 13.7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1PMT5935BT1
ON Semiconductor

1PMT5935BT1

ចំណែកផ្នែក: 9459

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 3.2W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 20.6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.25V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1SMA5934BT3
ON Semiconductor

1SMA5934BT3

ចំណែកផ្នែក: 9491

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1.5W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 500nA @ 18.2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.5V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4758A-T50A
ON Semiconductor

1N4758A-T50A

ចំណែកផ្នែក: 195

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 110 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 42.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4753A-T50A
ON Semiconductor

1N4753A-T50A

ចំណែកផ្នែក: 187

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 36V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 50 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 27.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4733A-T50R
ON Semiconductor

1N4733A-T50R

ចំណែកផ្នែក: 248

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5338BRL
ON Semiconductor

1N5338BRL

ចំណែកផ្នែក: 8872

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 5W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 1.5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 1µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 1A,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4758A_T50R
ON Semiconductor

1N4758A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8641

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 56V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 110 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 42.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4757A_T50A
ON Semiconductor

1N4757A_T50A

ចំណែកផ្នែក: 8686

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 51V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 95 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 38.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4756A_T50A
ON Semiconductor

1N4756A_T50A

ចំណែកផ្នែក: 8710

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 47V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 80 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 35.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4754A_T50R
ON Semiconductor

1N4754A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8354

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 39V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 60 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 29.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4752A_T50R
ON Semiconductor

1N4752A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8337

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 33V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 45 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 25.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4751A_T50R
ON Semiconductor

1N4751A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8307

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 22.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4751A_S00Z
ON Semiconductor

1N4751A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 3866

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 30V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 40 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 22.8V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4750A_T50R
ON Semiconductor

1N4750A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8344

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 20.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4750A_S00Z
ON Semiconductor

1N4750A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 8252

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 27V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 35 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 20.6V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4749A_S00Z
ON Semiconductor

1N4749A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 8275

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 18.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4748A_T50R
ON Semiconductor

1N4748A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 3837

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 16.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4749A_NT50A
ON Semiconductor

1N4749A_NT50A

ចំណែកផ្នែក: 3834

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 24V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 25 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 18.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4747A_T50R
ON Semiconductor

1N4747A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8322

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 15.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4748A_S00Z
ON Semiconductor

1N4748A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 3884

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 22V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 16.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4746A_T50R
ON Semiconductor

1N4746A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8271

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 13.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4747A_S00Z
ON Semiconductor

1N4747A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 8239

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 20V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 15.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4746A_S00Z
ON Semiconductor

1N4746A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 8318

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 18V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 20 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 13.7V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4745A_T50R
ON Semiconductor

1N4745A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8259

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 16 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 12.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4745A_S00Z
ON Semiconductor

1N4745A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 3847

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 16V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 16 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 12.2V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4744A_T26R
ON Semiconductor

1N4744A_T26R

ចំណែកផ្នែក: 8314

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 14 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 11.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4744A_S00Z
ON Semiconductor

1N4744A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 8282

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 14 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 11.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4744A_T26A
ON Semiconductor

1N4744A_T26A

ចំណែកផ្នែក: 8226

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 14 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 11.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4744A_NT50A
ON Semiconductor

1N4744A_NT50A

ចំណែកផ្នែក: 8295

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 15V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 14 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 11.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4741A_T50R
ON Semiconductor

1N4741A_T50R

ចំណែកផ្នែក: 8283

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 8.4V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N4742A_S00Z
ON Semiconductor

1N4742A_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 8287

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 12V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 1W, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 9 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 9.1V,

បញ្ជីប្រាថ្នា