Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ឌីអូហ្សែន - ហ្សេនហ្សឺរ - លីវ
1N5241B_T50R
ON Semiconductor

1N5241B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 5010

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 11V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 8.4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5240B_T50A
ON Semiconductor

1N5240B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 5007

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5240B_S00Z
ON Semiconductor

1N5240B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 1609

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 10V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 8V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5239B_T50R
ON Semiconductor

1N5239B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 4995

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5239B_T50A
ON Semiconductor

1N5239B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 4993

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 9.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 10 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 7V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5238B_T50A
ON Semiconductor

1N5238B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 3502

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5238B_T50R
ON Semiconductor

1N5238B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 3555

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5237B_T50R
ON Semiconductor

1N5237B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 5044

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5237B_S00Z
ON Semiconductor

1N5237B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 4963

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5237B_T26A
ON Semiconductor

1N5237B_T26A

ចំណែកផ្នែក: 5404

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 8.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 8 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5236B_T50A
ON Semiconductor

1N5236B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 5049

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5236B_T50R
ON Semiconductor

1N5236B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 3591

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5236B_T26A
ON Semiconductor

1N5236B_T26A

ចំណែកផ្នែក: 5040

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5236B_S00Z
ON Semiconductor

1N5236B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 4992

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 7.5V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 6 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 6V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5235B_T50A
ON Semiconductor

1N5235B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 4950

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5235B_T50R
ON Semiconductor

1N5235B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 5008

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5234B_T50R
ON Semiconductor

1N5234B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 5440

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5235B_S00Z
ON Semiconductor

1N5235B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 5020

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.8V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 5 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 3µA @ 5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5233B_T50R
ON Semiconductor

1N5233B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 4998

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5234B_S00Z
ON Semiconductor

1N5234B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 4963

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6.2V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 4V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5233B_T26A
ON Semiconductor

1N5233B_T26A

ចំណែកផ្នែក: 3567

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5233B_S00Z
ON Semiconductor

1N5233B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 4948

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 7 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3.5V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5232B_T50R
ON Semiconductor

1N5232B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 4988

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 11 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5232B_T50A
ON Semiconductor

1N5232B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 4976

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 11 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5232B_T26A
ON Semiconductor

1N5232B_T26A

ចំណែកផ្នែក: 4971

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 11 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5231B_T26A
ON Semiconductor

1N5231B_T26A

ចំណែកផ្នែក: 5026

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5232B_S00Z
ON Semiconductor

1N5232B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 5001

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.6V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 11 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 3V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5231B_NT50A
ON Semiconductor

1N5231B_NT50A

ចំណែកផ្នែក: 4995

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5231B_S00Z
ON Semiconductor

1N5231B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 3583

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 5.1V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 17 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5230B_T50A
ON Semiconductor

1N5230B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 4977

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 2µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5230B_S00Z
ON Semiconductor

1N5230B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 5040

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.7V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 19 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 2V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5229B_T26A
ON Semiconductor

1N5229B_T26A

ចំណែកផ្នែក: 4987

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5229B_S00Z
ON Semiconductor

1N5229B_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 3575

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 4.3V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 22 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 5µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5228BTR_S00Z
ON Semiconductor

1N5228BTR_S00Z

ចំណែកផ្នែក: 4940

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5228B_T50A
ON Semiconductor

1N5228B_T50A

ចំណែកផ្នែក: 5023

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
1N5228B_T50R
ON Semiconductor

1N5228B_T50R

ចំណែកផ្នែក: 5022

វ៉ុល - ហ្សេនហ្សឺ (អិម) (វីស): 3.9V, ភាពអត់ធ្មត់: ±5%, ថាមពល - អតិបរមា: 500mW, Impedance (អតិបរមា) (Zzt): 23 Ohms, ចរន្ត - ការលេចធ្លាយបញ្ច្រាស @ Vr: 10µA @ 1V, វ៉ុល - ឆ្ពោះទៅមុខ (Vf) (អតិបរមា) @ ប្រសិនបើ: 1.2V @ 200mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា