Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ទូរទស្សន៍អេស។ ធី - ធីរធ័រ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ទូរទស្សន៍អេស។ ធី - ធីរធ័រ
NP0900SAT3G
ON Semiconductor

NP0900SAT3G

ចំណែកផ្នែក: 4072

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 98V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 75V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NP2600SBMCT3G
ON Semiconductor

NP2600SBMCT3G

ចំណែកផ្នែក: 4037

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 300V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 220V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 250A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 80A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT05A230T3G
ON Semiconductor

MMT05A230T3G

ចំណែកផ្នែក: 3955

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 265V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 170V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 150A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NP1800SAT3G
ON Semiconductor

NP1800SAT3G

ចំណែកផ្នែក: 3838

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 220V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 170V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT05B260T3
ON Semiconductor

MMT05B260T3

ចំណែកផ្នែក: 3733

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 320V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 200V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 150A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NP3100SAT3G
ON Semiconductor

NP3100SAT3G

ចំណែកផ្នែក: 3813

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 350V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 275V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NP0900SCT3G
ON Semiconductor

NP0900SCT3G

ចំណែកផ្នែក: 5470

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 98V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 75V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 100A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT05A310T3
ON Semiconductor

MMT05A310T3

ចំណែកផ្នែក: 3771

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 365V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 270V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 150A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT05A230T3
ON Semiconductor

MMT05A230T3

ចំណែកផ្នែក: 3711

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 265V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 170V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 150A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT10B310T3
ON Semiconductor

MMT10B310T3

ចំណែកផ្នែក: 3738

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 365V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 270V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 5V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 100A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT08B310T3
ON Semiconductor

MMT08B310T3

ចំណែកផ្នែក: 3799

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 365V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 270V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 250A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 80A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT05B230T3
ON Semiconductor

MMT05B230T3

ចំណែកផ្នែក: 3731

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 265V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 170V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 150A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT05A260T3
ON Semiconductor

MMT05A260T3

ចំណែកផ្នែក: 3728

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 320V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 200V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 150A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NP1100SBMCT3G
ON Semiconductor

NP1100SBMCT3G

ចំណែកផ្នែក: 3834

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 130V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 90V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 250A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 80A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT08B310T3G
ON Semiconductor

MMT08B310T3G

ចំណែកផ្នែក: 3742

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 365V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 270V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 250A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 80A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT05B310T3
ON Semiconductor

MMT05B310T3

ចំណែកផ្នែក: 3755

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 365V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 270V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 3V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (៨/២០µs): 150A, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NTVB300SA-L
ON Semiconductor

NTVB300SA-L

ចំណែកផ្នែក: 3801

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 400V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 300V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NP1500SAT3G
ON Semiconductor

NP1500SAT3G

ចំណែកផ្នែក: 5427

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 180V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 140V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 4V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 50A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT10B260T3G
ON Semiconductor

MMT10B260T3G

ចំណែកផ្នែក: 3830

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 320V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 200V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 5V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 100A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMT10B260T3
ON Semiconductor

MMT10B260T3

ចំណែកផ្នែក: 5462

វ៉ុល - ការបែកបាក់: 320V, វ៉ុល - រដ្ឋបិទ: 200V, វ៉ុល - នៅលើរដ្ឋ: 5V, បច្ចុប្បន្ន - កំពូលជីពចរ (10 / 1000µs): 100A, ចរន្ត - ទប់ (Ih): 150mA,

បញ្ជីប្រាថ្នា