ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ហ្វតស៍អេសអេសអេហ្វអេស - អារេ

NVMFD5C470NLWFT1G

ចំណែកផ្នែក: 277

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 20µA,

FDMS3660S

ចំណែកផ្នែក: 144159

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

FDMD8440L

ចំណែកផ្នែក: 9941

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 21A (Ta), 87A (Tc), Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMS3686S

ចំណែកផ្នែក: 98643

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 23A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

SQJ500EPTR

ចំណែកផ្នែក: 2970

VEC2616-TL-H-Z-W

ចំណែកផ្នែក: 9922

NTMFD4902NFT3G

ចំណែកផ្នែក: 98047

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), Schottky, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10.3A, 13.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

SSD2007ATF

ចំណែកផ្នែក: 2977

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 50V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2G

ចំណែកផ្នែក: 2922

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2V @ 250µA,

FDS3992

ចំណែកផ្នែក: 87571

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 100V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 4V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTBG

ចំណែកផ្នែក: 162644

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

FDPC3D5N025X9D

ចំណែកផ្នែក: 97245

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Standard, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 25V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 74A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 3.01 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDS8949

ចំណែកផ្នែក: 64827

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

ECH8655R-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 174892

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 24V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 9A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

NDS8958

ចំណែកផ្នែក: 2659

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.3A, 4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.8V @ 250µA,

NTHD3100CT3

ចំណែកផ្នែក: 2692

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.9A, 3.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

FDY4001CZ

ចំណែកផ្នែក: 2688

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 200mA, 150mA, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

NTMD6P02R2SG

ចំណែកផ្នែក: 2763

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

MMDF3N04HDR2

ចំណែកផ្នែក: 2667

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 40V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.4A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FDMS3660S-F121

ចំណែកផ្នែក: 2953

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 13A, 30A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.7V @ 250µA,

NTMD2P01R2G

ចំណែកផ្នែក: 2669

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 16V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.3A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-H-Z

ចំណែកផ្នែក: 2971

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, 4V Drive, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, 2.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDMC8200S_F106

ចំណែកផ្នែក: 3352

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, 8.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

FW812-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 2832

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 35V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 10A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.6V @ 1mA,

NTLUD3191PZTBG

ចំណែកផ្នែក: 2826

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 1.1A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1V @ 250µA,

FDS8962C

ចំណែកផ្នែក: 2774

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 7A, 5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 3V @ 250µA,

NTMC1300R2

ចំណែកផ្នែក: 3306

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 30V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 2.2A, 1.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 2.2V @ 250µA,

FDW9926NZ

ចំណែកផ្នែក: 2770

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 4.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDR8308P

ចំណែកផ្នែក: 2748

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

EMH2407-TL-H

ចំណែកផ្នែក: 165186

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V,

ECH8619-TL-E

ចំណែកផ្នែក: 2845

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 60V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3A, 2A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V,

FDZ2554P

ចំណែកផ្នែក: 2769

ប្រភេទហ្វីត: 2 P-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDW2501NZ

ចំណែកផ្នែក: 2739

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 5.5A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

FDJ1032C

ចំណែកផ្នែក: 2679

ប្រភេទហ្វីត: N and P-Channel, លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 3.2A, 2.8A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968R2

ចំណែកផ្នែក: 2684

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6.6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.2V @ 250µA,

FDW2512NZ

ចំណែកផ្នែក: 2739

ប្រភេទហ្វីត: 2 N-Channel (Dual), លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET: Logic Level Gate, បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss): 20V, ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ: 6A, Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់: 1.5V @ 250µA,