Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ការចងចាំ

NM93C66M8
ON Semiconductor

NM93C66M8

ចំណែកផ្នែក: 2562

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM93C66EN
ON Semiconductor

FM93C66EN

ចំណែកផ្នែក: 7974

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93C66EN
ON Semiconductor

NM93C66EN

ចំណែកផ្នែក: 2484

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 4Kb (256 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM27C512Q120
ON Semiconductor

FM27C512Q120

ចំណែកផ្នែក: 7790

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C020QE120
ON Semiconductor

NM27C020QE120

ចំណែកផ្នែក: 3163

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 2Mb (256K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM95C12N
ON Semiconductor

NM95C12N

ចំណែកផ្នែក: 3047

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27LC512V200
ON Semiconductor

NM27LC512V200

ចំណែកផ្នែក: 2093

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM93C46M8
ON Semiconductor

FM93C46M8

ចំណែកផ្នែក: 7919

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C010N150
ON Semiconductor

NM27C010N150

ចំណែកផ្នែក: 3062

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93CS06EN
ON Semiconductor

NM93CS06EN

ចំណែកផ្នែក: 2570

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 256b (16 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FM93C46LM8
ON Semiconductor

FM93C46LM8

ចំណែកផ្នែក: 7893

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 250kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93C56EM8
ON Semiconductor

NM93C56EM8

ចំណែកផ្នែក: 2381

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (128 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C040Q120
ON Semiconductor

NM27C040Q120

ចំណែកផ្នែក: 1905

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 4Mb (512K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM24C02EN
ON Semiconductor

NM24C02EN

ចំណែកផ្នែក: 1433

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93C06M8
ON Semiconductor

NM93C06M8

ចំណែកផ្នែក: 1374

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 256b (16 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93CS46N
ON Semiconductor

NM93CS46N

ចំណែកផ្នែក: 6157

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C512Q120
ON Semiconductor

NM27C512Q120

ចំណែកផ្នែក: 1256

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C010Q150
ON Semiconductor

NM27C010Q150

ចំណែកផ្នែក: 1259

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 1Mb (128K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93C06EN
ON Semiconductor

NM93C06EN

ចំណែកផ្នែក: 6139

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 256b (16 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM24C02LM8
ON Semiconductor

NM24C02LM8

ចំណែកផ្នែក: 1545

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C256QE200
ON Semiconductor

NM27C256QE200

ចំណែកផ្នែក: 1259

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM24C03EM8
ON Semiconductor

NM24C03EM8

ចំណែកផ្នែក: 1518

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM24C02M8
ON Semiconductor

NM24C02M8

ចំណែកផ្នែក: 1562

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
CAT24C64YI-GT3JN
ON Semiconductor

CAT24C64YI-GT3JN

ចំណែកផ្នែក: 172507

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 5ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NMC27C64Q200
ON Semiconductor

NMC27C64Q200

ចំណែកផ្នែក: 1435

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NMC27C64Q150
ON Semiconductor

NMC27C64Q150

ចំណែកផ្នែក: 1185

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93C46EN
ON Semiconductor

NM93C46EN

ចំណែកផ្នែក: 1315

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C256Q200
ON Semiconductor

NM27C256Q200

ចំណែកផ្នែក: 1248

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 256Kb (32K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NMC27C32BQ200
ON Semiconductor

NMC27C32BQ200

ចំណែកផ្នែក: 1422

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 32Kb (4K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM93C46M8
ON Semiconductor

NM93C46M8

ចំណែកផ្នែក: 1368

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 1Kb (64 x 16), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 1MHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C512Q200
ON Semiconductor

NM27C512Q200

ចំណែកផ្នែក: 1292

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM27C512Q150
ON Semiconductor

NM27C512Q150

ចំណែកផ្នែក: 1251

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 512Kb (64K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NMC27C64N200
ON Semiconductor

NMC27C64N200

ចំណែកផ្នែក: 1191

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - OTP, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM24C02LEM8
ON Semiconductor

NM24C02LEM8

ចំណែកផ្នែក: 6212

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 15ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NMC27C64QE200
ON Semiconductor

NMC27C64QE200

ចំណែកផ្នែក: 1468

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EPROM - UV, ទំហំសតិ: 64Kb (8K x 8),

បញ្ជីប្រាថ្នា
NM24C02N
ON Semiconductor

NM24C02N

ចំណែកផ្នែក: 1541

ប្រភេទអង្គចងចាំ: Non-Volatile, ទ្រង់ទ្រាយអង្គចងចាំ: EEPROM, បច្ចេកវិទ្យា: EEPROM, ទំហំសតិ: 2Kb (256 x 8), ភាពញឹកញាប់នៃនាឡិកា: 100kHz, សរសេរពេលវេលាវដ្ត - ពាក្យ, ទំព័រ: 10ms,

បញ្ជីប្រាថ្នា