Menu
CambodiaCambodia
RFQs / បទបញ្ជា
0RFQs / បទបញ្ជា

ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ, បុរេលំអ

  • ផ្ទហ
  •  
  • ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ - ប៉ូលីឡា (ប៊ីជេធី) - នៅលីវ, បុរេលំអ
DTC114YM3T5G
ON Semiconductor

DTC114YM3T5G

ចំណែកផ្នែក: 149165

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MUN2130T1
ON Semiconductor

MUN2130T1

ចំណែកផ្នែក: 1886

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTA144WM3T5G
ON Semiconductor

DTA144WM3T5G

ចំណែកផ្នែក: 145545

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSVMMUN2133LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2133LT1G

ចំណែកផ្នែក: 176066

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY3013R
ON Semiconductor

FJY3013R

ចំណែកផ្នែក: 1891

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MUN2215T1G
ON Semiconductor

MUN2215T1G

ចំណែកផ្នែក: 137107

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY3014R
ON Semiconductor

FJY3014R

ចំណែកផ្នែក: 3270

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MUN2132T1
ON Semiconductor

MUN2132T1

ចំណែកផ្នែក: 1898

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTC115EET1G
ON Semiconductor

DTC115EET1G

ចំណែកផ្នែក: 184884

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 100 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY4007R
ON Semiconductor

FJY4007R

ចំណែកផ្នែក: 1870

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJX4011RTF
ON Semiconductor

FJX4011RTF

ចំណែកផ្នែក: 1899

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTA144EET1G
ON Semiconductor

DTA144EET1G

ចំណែកផ្នែក: 193208

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTC143EET1G
ON Semiconductor

DTC143EET1G

ចំណែកផ្នែក: 145510

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT3G

ចំណែកផ្នែក: 186770

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTA143ZET1
ON Semiconductor

DTA143ZET1

ចំណែកផ្នែក: 1895

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMUN2111LT1G
ON Semiconductor

MMUN2111LT1G

ចំណែកផ្នែក: 178380

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SMMUN2114LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2114LT1G

ចំណែកផ្នែក: 131501

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTA115EET1G
ON Semiconductor

DTA115EET1G

ចំណែកផ្នែក: 176363

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 100 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 100 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MUN2111T3
ON Semiconductor

MUN2111T3

ចំណែកផ្នែក: 1925

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJX4005RTF
ON Semiconductor

FJX4005RTF

ចំណែកផ្នែក: 1869

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY4013R
ON Semiconductor

FJY4013R

ចំណែកផ្នែក: 3199

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY4005R
ON Semiconductor

FJY4005R

ចំណែកផ្នែក: 1926

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MUN5234T1G
ON Semiconductor

MUN5234T1G

ចំណែកផ្នែក: 103534

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMUN2232LT1G
ON Semiconductor

MMUN2232LT1G

ចំណែកផ្នែក: 111952

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
SMMUN2211LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2211LT1G

ចំណែកផ្នែក: 199142

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY4003R
ON Semiconductor

FJY4003R

ចំណែកផ្នែក: 1884

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY3012R
ON Semiconductor

FJY3012R

ចំណែកផ្នែក: 1842

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 40V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5132T1G

ចំណែកផ្នែក: 147425

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 4.7 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 4.7 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTC124EET1G
ON Semiconductor

DTC124EET1G

ចំណែកផ្នែក: 143586

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 22 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTC123EET1G
ON Semiconductor

DTC123EET1G

ចំណែកផ្នែក: 138870

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
FJY3006R
ON Semiconductor

FJY3006R

ចំណែកផ្នែក: 1849

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MUN2211T3G
ON Semiconductor

MUN2211T3G

ចំណែកផ្នែក: 169238

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTA114TXV3T1G
ON Semiconductor

DTA114TXV3T1G

ចំណែកផ្នែក: 1938

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 10 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
DTA123JET1
ON Semiconductor

DTA123JET1

ចំណែកផ្នែក: 1884

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: PNP - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 2.2 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 47 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MMUN2230LT1
ON Semiconductor

MMUN2230LT1

ចំណែកផ្នែក: 1914

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 1 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 1 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា
MUN5212T1G
ON Semiconductor

MUN5212T1G

ចំណែកផ្នែក: 121602

ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ: NPN - Pre-Biased, ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (អាយស៊ី) (អតិបរមា): 100mA, វ៉ុល - ការបំបែកការប្រមូលផ្តុំអ្នកប្រមូល (អតិបរមា): 50V, Resistor - មូលដ្ឋាន (R1): 22 kOhms, Resistor - មូលដ្ឋាន emitter (R2): 2.2 kOhms, ការកើនឡើងរបស់ DC បច្ចុប្បន្ន (hFE) (មីន) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

បញ្ជីប្រាថ្នា